在推动以氧化石墨烯为载体的新药进入临床试验前,势必会面临诸多挑战:(1)优化氧化石墨烯的制备方法及生产工艺,使其具有可重复性,并能精确控制氧化石墨烯的尺寸和质量;(2)比较好使用剂量的摸索,找到以氧化石墨烯为载体的***疗效和毒性之间的平衡点;(3)其他表面修饰剂的开发,需具有良好生物相容性且修饰后的氧化石墨烯能在短时间内被生物体***;(4)毒理学方法的进一步规范,系统阐明以氧化石墨烯为载体***的潜在毒性;(5)体内外模型的建立,***评价氧化石墨烯***的生物相容性,使其能更好地转化到临床。此外,以氧化石墨烯为载体的***在大规模工业化生产和应用时,还需考虑到对人体和环境的不利影响,是否可能导致潜在的人体暴露和环境污染问题,这些有待于进一步研究。 氧化石墨烯是有着非凡价值的新材料,将会在生物医学领域发挥举足轻重的作用。氧化石墨可以用于提高环氧树脂、聚乙烯、聚酰胺等聚合物的导热性能。鹤岗哪些氧化石墨

GO作为一种新型的药物载体材料,以其良好的生物相容性、较高的载药率、靶向给药等方面得到广泛的关注。GO作为递送药物的载体,它不仅可以负载小分子药物,也可以与抗体、DNA、蛋白质等大分子结合,如图7.2所示。普通的有机药物很多都含有π结构,而这些药物的水溶性都非常差,而GO具有较好的亲水性,因此可以借助分散性较好的GO基材料来解决这个问题,即将上述药物负载到GO基材料上,形成GO-药物混合物材料。这对改善难溶***物的水溶性,降低药物不良反应以及提高药物稳定性和生物利用度等方面有非常重要的研究意义。河北关于氧化石墨氧化石墨烯可以有效去除溶液中的金属离子。

所采用的石墨原料片径大小、纯度高低等以及合成GO的方法不同,因此导致所合成出来的GO片的大小、片层厚度、氧化程度(含氧量)、表面电荷和表面所带官能团等不同。GO的生物毒性除了有浓度依赖性,还会因GO原料的不同而呈现出毒性数据的多样性,甚至结论相互矛盾 [2-9]。此外,GO可能与毒性测试中的试剂相互作用,从而影响细胞活性试验数据的有效性,使其产生假阳性结果。如:Macosko与其合作者[10]的研究发现,在细胞活性试验中利用四甲基偶氮唑盐(MTT)试剂与GO作用,GO的存在可以减少蓝色产物的形成。因为在活细胞中,当MTT减少时就说明有同一种颜色产物的生成。因此,基于MTT法试验未能体现出GO的细胞毒性。但是他们利用另一种水溶性的四唑基试剂——WST-8(台酚蓝除外),就能对活细胞和死细胞的数量进行精确的评估。
由于GO表面具有较高的亲和力,蛋白质可以吸附在GO表面,因此在生物液体中可以通过蛋白质来调节GO与细胞膜的相互作用。如,血液中存在着大量的血清蛋白,可能会潜在的影响GO的毒性。Ge与其合作者[16]利用电子显微镜技术就观察到牛血清蛋白可以降低GO对细胞膜的渗透性,抑制了GO对细胞膜的破坏,同时降低了GO的细胞毒性。基于分子动力学研究分析,他们推断可能是由于GO-蛋白质之间的作用削弱了GO-磷脂之间的相互作用。与此同时,GO对人血清蛋白的影响也被其他科研工作者所发现,特别是他们观察到了GO可以抑制人血清蛋白与胆红素之间的作用。因此,GO与血清蛋白之间是相互影响的。石墨、碳纤维、碳纳米管和GO可以作为荧光受体。

RGO制备简单、自身具有受还原程度调控的带隙,可以实现超宽谱(从可见至太赫兹波段)探测。氧化石墨烯的还原程度对探测性能有***影响,随着氧化石墨烯还原程度的提高,探测器的响应率可以提高若干倍以上。因此,在CVD石墨烯方案的基础上,研究者开始尝试使用还原氧化石墨烯制备类似结构的光电探测器。对于RGO-Si器件,带间光子跃迁以及界面处的表面电荷积累,是影响光响应的重要因素[72]。2014年,Cao等[73]将氧化石墨烯分散液滴涂在硅线阵列上,而后通过热处理对氧化石墨烯进行热还原,制得了硅纳米线阵列(SiNW)-RGO异质结的室温超宽谱光探测器。该探测器在室温下,***实现了从可见光(532nm)到太赫兹波(2.52THz,118.8mm)的超宽谱光探测。在所有波段中,探测器对10.6mm的长波红外具有比较高的光响应率可达9mA/W。氧化石墨烯(GO)是印刷电子、催化、储能、分离膜、生物医学和复合材料的理想材料。关于氧化石墨导热
氧化石墨烯表面的-OH和-COOH等官能团含有孤对电子。鹤岗哪些氧化石墨
氧化石墨烯同时具有荧光发射和荧光淬灭特性,广义而言,其自身已经可以作为一种传感材料,在生物、医学领域的应用充分说明了这一点。经过功能化的氧化石墨烯/还原氧化石墨烯在更加***的领域内得到了应用,特别在光探测、光学成像、新型光源、非线性器件等光电传感相关领域有着丰富的应用。光电探测器是石墨烯问世后**早应用的领域之一。2009 年, Xia 等利用机械剥离的石墨烯制备出了***个石墨烯光电探测器(MGPD)[2],如图9.6,以1-3 层石墨烯作为有源层,Ti/Pd/Au 作源漏电极,Si 作为背栅极并在其上沉淀300nm 厚的SiO2,在电极和石墨烯的接触面上因为功函数的不同,能带会发生弯曲并产生内建电场。鹤岗哪些氧化石墨