企业商机
低本底Alpha谱仪基本参数
  • 品牌
  • 泰瑞迅
  • 型号
  • RLA200
  • 适用范围
  • 适用于各种环境样品以及环境介质中人工放射性α核素的监测。
  • 加工定制
  • 外形尺寸
  • 361*470*180
  • 工作电压
  • 220
  • 测量范围
  • 0-10Mev
  • 电源
  • 220V
  • 重量
  • 15KG
  • 产地
  • 苏州
  • 厂家
  • 苏州泰瑞迅科技有限公司
低本底Alpha谱仪企业商机

可视化分析与开放化扩展平台软件搭载**谱图显示控件,采用GPU加速渲染技术,可在0.2秒内完成包含10⁶数据点的能谱绘制,支持三维能谱矩阵(能量-时间-计数率)的动态切换与叠加对比‌。在核素识别任务中,用户通过拖拽操作即可将待测样品的5.3MeV(²¹⁰Po)特征峰与数据库中的300+标准核素谱自动匹配,匹配结果通过色阶热力图直观呈现,误判率<0.5%‌。系统提供标准化API接口(RESTful/OPC UA),支持与第三方设备(如自动制样机器人)及LIMS系统深度集成,在核电站辐射监测场景中,可实现α活度数据与γ剂量率、气溶胶浓度的多模态数据融合分析‌。开发套件内含Python/Matlab插件引擎,用户可自定义峰形拟合算法(如Voigt函数优化)或能谱解卷积模型,研究成果可直接导入软件算法库,形成从科研创新到工业应用的快速转化通道‌。PIPS探测器的α能谱分辨率是多少?其能量分辨率如何验证。上海辐射测量低本底Alpha谱仪适配进口探测器

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PIPS探测器α谱仪真空系统维护**要点 三、腔体清洁与防污染措施‌内部污染控制‌每6个月拆解真空腔体,使用无绒布蘸取无水乙醇-**(1:1)混合液擦拭内壁,重点***α源沉积物。离子泵阴极钛板需单独超声清洗(40kHz,30分钟)以去除氧化层‌。**环境适应性维护‌温湿度管理‌:维持实验室温度20-25℃(波动±1℃)、湿度<40%,防止冷凝结露导致真空放电‌68‌防尘处理‌:在粗抽管道加装分子筛吸附阱(孔径0.3nm),拦截油蒸气与颗粒物,延长分子泵寿命‌。永嘉仪器低本底Alpha谱仪适配进口探测器数字多道数字滤波:1us。

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微分非线性校正与能谱展宽控制微分非线性(DNL≤±1%)的突破得益于动态阈值扫描技术:系统内置16位DAC阵列,对4096道AD通道执行码宽均匀化校准,在²³⁸U能谱测量中,将4.2MeV(²³⁴U)峰的FWHM从18.3keV压缩至11.5keV,峰对称性指数(FWTM/FWHM)从2.1改善至1.8‌14。针对α粒子能谱的Landau分布特性,开发脉冲幅度-道址非线性映射算法,使²⁴¹Am标准源5.485MeV峰积分非线性(INL)≤±0.03%,确保能谱库自动寻峰算法的误匹配率<0.1‰‌。系统支持用户导入NIST刻度数据,通过17阶多项式拟合实现跨量程非线性校正,在0.5-8MeV宽能区内能量线性度误差<±0.015%‌。

RLA 200系列α谱仪采用模块化设计,**硬件由真空测量腔室、PIPS探测单元、数字信号处理单元及控制单元构成。其真空腔室通过0-26.7kPa可调真空度设计,有效减少空气对α粒子的散射干扰,配合PIPS探测器(有效面积可选300-1200mm²)实现高灵敏度测量‌。数字化多道系统支持256-8192道可选,通过自动稳谱和死时间校正功能保障长期稳定性‌。该仪器还集成程控偏压调节(0-200V,步进0.5V)和漏电流监测模块(0-5000nA),可实时跟踪探测器工作状态‌。能否区分短寿命核素(如Po-218)与长寿命核素(如Po-210)?如何避免交叉干扰?

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PIPS探测器α谱仪校准标准源选择与操作规范‌二、分辨率验证与峰形分析:²³⁹Pu(5.157MeV)‌²³⁹Pu的α粒子能量(5.157MeV)与²⁴¹Am形成互补,用于评估系统分辨率(FWHM≤12keV)及峰对称性(拖尾因子≤1.05)‌。校准中需对比两源的主峰半高宽差异,判断探测器死层厚度(≤50nm)与信号处理电路(如梯形成形时间)的匹配性。若²³⁹Pu峰分辨率劣化>15%,需排查真空度(≤10⁻⁴Pa)是否达标或偏压电源稳定性(波动<0.01%)‌。‌通过探测放射性样品所产生的α射线能量和强度,从而获取样品的放射性成分和含量。龙港市Alpha射线低本底Alpha谱仪研发

为不同试验室量身定做,可满足多批次大批量样品测量需求。上海辐射测量低本底Alpha谱仪适配进口探测器

PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析‌一、工艺结构与材料特性‌PIPS探测器采用钝化离子注入平面硅工艺,通过光刻技术定义几何形状,所有结构边缘埋置于内部,无需环氧封边剂,***提升机械稳定性与抗环境干扰能力‌。其死层厚度≤50nm(传统Si探测器为100~300nm),通过离子注入形成超薄入射窗(≤50nm),有效减少α粒子在死层的能量损失‌。相较之下,传统Si半导体探测器(如金硅面垒型或扩散结型)依赖表面金属沉积或高温扩散工艺,死层厚度较大且边缘需环氧保护,易因湿度或温度变化引发性能劣化‌。‌上海辐射测量低本底Alpha谱仪适配进口探测器

低本底Alpha谱仪产品展示
  • 上海辐射测量低本底Alpha谱仪适配进口探测器,低本底Alpha谱仪
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