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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

此外,EVG光刻机不断关注未来的市场趋势 - 例如光学3D传感和光子学 - 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案,以满足客户不断变化的需求。我们用持续的技术和市场地位证明了这一点,包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的无人能比的经验,这些抗蚀剂针对独特的要求和参数进行了优化。了解客户需求和有效的全球支持是我们提供优先解决方案的重要基础。只有接近客户,才能得知客户蕞真实的需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。HERCULES可以配置成处理弯曲,翘曲,变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。化合物半导体光刻机美元报价

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EVG®150--光刻胶自动处理系统EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台,可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆,而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载湖南高级封装光刻机EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统,可以在顶部和双面光刻。

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IQAligner®NT技术数据:产能:全自动:手次生产量印刷:每小时200片全自动:吞吐量对准:每小时160片晶圆工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,晶圆边缘处理智能过程控制和数据分析功能(框架SW平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米对准方式:顶部对准:≤±0,25µm底侧对准:≤±0.5µm红外对准:≤±2,0µm/取决于基材

EVG®150光刻胶处理系统分配选项:各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000cP的粘度液体底漆/预湿/洗盘去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)恒压分配系统/注射器分配系统电阻分配泵具有流量监控功能可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸超音波附加模块选项预对准:光学/机械ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KREVG光刻机蕞新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。

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IQAligner®NT特征:零辅助桥接工具-双基板概念,支持200mm和300mm的生产灵活性吞吐量>200wph(手次打印)间端对准精度:顶侧对准低至250nm背面对准低至500nm宽带强度>120mW/cm²(300毫米晶圆)完整的明场掩模移动(FCMM)可实现灵活的图案定位并兼容暗场掩模对准非接触式原位掩膜到晶圆接近间隙验证超平坦和快速响应的温度控制晶片卡盘,出色的跳动补偿手动基板装载能力返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统远程技术支持和GEM300兼容性智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSoftwarePlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能并行/排队任务处理功能智能处理功能发生和警报分析智能维护管理和根踪HERCULES对准精度:上侧对准:≤±0.5 µm;底侧对准:≤±1,0 µm;红外校准:≤±2,0 µm /具体取决于基材。四川掩模对准光刻机

HERCULES 全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时、大间隙、晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。化合物半导体光刻机美元报价

EVG120特征2:先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能,可确保连续的高产量;工艺技术桌越和开发服务:多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSWPlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能;并行/排队任务处理功能;智能处理功能;发生和警报分析;智能维护管理和根踪;技术数据:可用模块;旋涂/OmniSpray®/开发;烤/冷;晶圆处理选项:单/双EE/边缘处理/晶圆翻转;弯曲/翘曲/薄晶圆处理。化合物半导体光刻机美元报价

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