平台和平台附件标准和砖用平台。CS-1可升级接触式SS-3样品台，可测波长范围190-1700nmSS-36“×6”样品平台，F20系统的标准配置。可调节镜头高度，103mm进深。适用所有波长范围。SS-3-88“×8”样品平台。可调节镜头高度，139mm进深。适用所有波长范围。SS-3-24F20的24“×24”样品平台。可调节镜头高度，550mm进深。适用所有波长范围。SS-56"x6"吋样品台，具有可调整焦距的反射光学配件，需搭配具有APC接头的光纤，全波长范围使用样品压重-SS-3-50样品压重SS-3平台,50mmx50mm样品压重-SS-3-110样品压重SS-3平台,110mmx110mm几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。湖北膜厚仪技术原理
F10-AR无须处理涂层背面我们探头设计能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的镜头抑制的更多。就像我们所有的台式仪器一样，F10-AR需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内即可完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure独力软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)备用灯额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划高精密仪器膜厚仪供应商F40-UV范围：4nm-40µm，波长：190-1100nm。
F50系列自动化薄膜测绘FilmetricsF50系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta平台可接受标准和客制化夹盘，样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的，您也可以创造自己的测绘方法，并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。不同的F50仪器是根据波长范围来加以区分的。标准的F50是很受欢迎的产品。一般较短的波长(例如，F50-UV)可用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。
测量有机发光显示器有机发光显示器(OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮，超薄，动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的手选。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要，但不能用传统接触型的轮廓仪，因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV，F40-UV，和F10-RT-UV将提供廉价，可靠，非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物，氧化锌，还是聚合物（3,4-乙烯基），我们独有的ITO光学模型，加上可见/近红外仪器，可以测得厚度和光学常数，费用和操作难度瑾是光谱椭偏仪的一小部分。所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。
F30系列监控薄膜沉积，蕞强有力的工具F30光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数(n和k值)和半导体以及电介质层的均匀性。样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积:可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。各项优点:极大地提高生产力低成本—几个月就能收回成本A精确—测量精度高于±1%快速—几秒钟完成测量非侵入式—完全在沉积室以外进行测试易于使用—直观的Windows™软件几分钟就能准备好的系统型号厚度范围*波长范围F30:15nm-70µm380-1050nmF30-EXR:15nm-250µm380-1700nmF30-NIR:100nm-250µm950-1700nmF30-UV:3nm-40µm190-1100nmF30-UVX:3nm-250µm190-1700nmF30-XT:0.2µm-450µm1440-1690nmFilmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。碳化硅膜厚仪报价
F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。湖北膜厚仪技术原理
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度湖北膜厚仪技术原理
岱美仪器技术服务（上海）有限公司成立于2002-02-07，是一家专注于半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪的高新技术企业，公司位于金高路2216弄35号6幢306-308室。公司经常与行业内技术**交流学习，研发出更好的产品给用户使用。公司主要经营半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪，公司与半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪行业内多家研究中心、机构保持合作关系，共同交流、探讨技术更新。通过科学管理、产品研发来提高公司竞争力。公司与行业上下游之间建立了长久亲密的合作关系，确保半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪在技术上与行业内保持同步。产品质量按照行业标准进行研发生产，绝不因价格而放弃质量和声誉。在市场竞争日趋激烈的现在，我们承诺保证半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪质量和服务，再创佳绩是我们一直的追求，我们真诚的为客户提供真诚的服务，欢迎各位新老客户来我公司参观指导。
