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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG®150光刻胶处理系统技术数据:模块数:工艺模块:6烘烤/冷却模块:蕞多20个工业自动化功能:Ergo装载盒式工作站/SMIF装载端口/SECS/GEM/FOUP装载端口智能过程控制和数据分析功能(框架软件平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米可用模块:旋涂/OmniSpray®/开发烘烤/冷却晶圆处理选项:单/双EE/边缘处理/晶圆翻转弯曲/翘曲/薄晶圆处理EVG610 掩模对准系统,支持的晶圆尺寸:100 mm / 150 mm / 200 mm。广东光刻机化合物半导体应用

广东光刻机化合物半导体应用,光刻机

EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数转速:蕞高10krpm加速速度:蕞高10krpm喷涂模块-喷涂产生超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴;开发模块-分配选项水坑显影/喷雾显影EVG101光刻胶处理系统;附加模块选项:预对准:机械系统控制参数:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR湖南光刻机微流控应用EVG同样为客户提供量产型掩模对准系统。

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EVG120光刻胶自动处理系统附加模块选项预对准:光学/机械ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR分配选项:各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000cP的粘度液体底漆/预湿/洗盘去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)恒压分配系统/注射器分配系统电阻分配泵具有流量监控功能可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸超音波

EVG6200NT附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG6200NT技术数据:曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能:全自动:弟一批生产量:每小时180片全自动:吞吐量对准:每小时140片晶圆晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±3.0µm曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理纳米压印光刻技术:SmartNILEVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300 mm。

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EV集团(EVG)是面向MEMS,纳米技术和半导体市场的晶圆键合机和光刻设备的LINGXIAN供应商,日前宣布已收到其制造设备和服务组合的多个订单,这些产品和服务旨在满足对晶圆的新兴需求,水平光学(WLO)和3D感应。市场lingxian的产品组合包括EVG®770自动UV-纳米压印光刻(UV-NIL)步进器,用于步进重复式主图章制造,用于晶圆级透镜成型和堆叠的IQAligner®UV压印系统以及EVG®40NT自动测量系统,用于对准验证。EVG的WLO解决方案由该公司的NILPhotonics®能力中心提供支持。使用ZUIXIN的压印光刻技术和键合对准技术在晶圆级制造微透镜,衍射光学元件和其他光学组件可带来诸多好处。这些措施包括通过高度并行的制造工艺降低拥有成本,以及通过堆叠使ZUI终器件的外形尺寸更小。EVG是纳米压印光刻和微成型领域的先驱和市场LINGDAOZHE,拥有全球ZUI大的工具安装基础。EVG所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。掩模对准光刻机代理价格

EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统,可以在顶部和双面光刻。广东光刻机化合物半导体应用

IQAligner工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除产能全自动:弟一批生产量:每小时85片全自动:吞吐量对准:每小时80片广东光刻机化合物半导体应用

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