对于该类探测器,基底由Si变为Ge时,其探测波段可从IR延伸到THz,在这里姑且将Si基与Ge基两类放在一起加以阐述｡传统的非本征探测器是基于被掺杂的Ge或Si作为吸收材料制作而成的结构简单的PC探测器,主要有Ge:X[X=Hg､Ga､铍(Be)､锌(Zn)]､Si:Y[Y=Ga､砷(As)､铟(In)]等类型｡这类探测器的响应范围取决于杂质元素在基底里的离化能量,一般可覆盖LWIR､VLWIR乃至THz波段,但需要在低温(<10K)下工作｡由于响应波段很宽,非本征探测器被应用到了航天领域,然而困境也随之出现:在太空中核辐射对探测器响应的影响较大,需要减薄探测器吸收层来降低影响,但这样也会使量子效率降低红外热像仪还有哪些应用？德国欧普士红外热像仪价格优惠
一般而言,所谓的T2SLS探测器都是基于砷化铟(InAs)/锑化镓(GaSb)材料制作的｡InAs/GaSb T2SLS是一个由InAs和GaSb薄层交替构筑的多量子阱交互作用体系,该结构中InAs与GaAs的能带以II类方式对准｡这种能带续接方式可引发强有力的载流子隧穿现象,使该结构适用于MIR和LWIR探测｡理论预言在LWIR波段的性能T2SLS探测器的性能有望超过QWIP和HgCdTe探测器,然而在实验中,T2SLS探测器的暗电流仍处于较高的水平,远远达不到预期目**24x1024规模的T2SLS FPA探测器已研制成功,彰显了这种探测器的巨大潜力｡与前面几种探测器一样,T2SLS FPA探测器也是第三代红外热像仪系统的成员之一美国雷泰红外热像仪现场测试制冷型红外热像仪由于其精度高误差小灵敏度高，使得其检测结果更加可靠。
红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡
目前专业型的热像仪内置显示屏分辨率高，价格大概在几千元左右甚至更高；而非专业型的热像仪使用的是低分辨率小屏幕，成本只有几百元。所以同样分辨率的热像仪，专业型大镜头，高分辨率内置屏幕的热像仪，比非专业型的热像仪成本要贵1万元以上。帧频速度是50Hz，一般热像仪的帧频速度是在20Hz-50Hz，越高的帧频速度，刷新率就越快，成像画面就越连贯。除了这些功能，MC640还支持视频输出，可外接显示屏、三脚架。让一切观看都是在清晰、流畅、轻松、不疲劳的情况下度过，价格不到九万元。红外线热像仪灵敏度高，如保温杯、热饭盒等都能监测出来，并将定位在发热点，监测精度高。
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡红外热像仪的测量精度如何？非接触测温红外热像仪现场测试
红外热像仪的电池寿命如何？德国欧普士红外热像仪价格优惠
红外热像仪具有许多优点，如非接触式测量、响应速度快、测量范围广等。它可以测量难以接近或高温物体的温度，无需破坏被测物体，因此在各个领域得到了很广的应用。然而，红外热像仪也存在一些限制，如受到环境温度、湿度、气体成分等因素的影响，可能导致测量精度下降。此外，不同物体的发射率也会影响红外热像仪的测量结果。因此，在使用红外热像仪时，需要根据实际情况进行校准和修正，以获得更准确的温度信息。总的来说，红外热像仪是一种功能强大、应用很广的温度测量设备。随着技术的不断发展，红外热像仪的性能将不断提升，为各个领域提供更精确、更便捷的温度测量解决方案。德国欧普士红外热像仪价格优惠
