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DDR3测试基本参数
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DDR3测试企业商机

DDR3一致性测试是一种用于检查和验证DDR3内存模块在数据操作和传输方面一致性的测试方法。通过进行一致性测试,可以确保内存模块在工作过程中能够按照预期的方式读取、写入和传输数据。

一致性测试通常涵盖以下方面:

电气特性测试:对内存模块的电压、时钟频率、时序等电气特性进行测试,以确保其符合规范要求。

读写测试:验证内存模块的读取和写入功能是否正常,并确保数据的正确性和一致性。

数据一致性检查:通过检查读取的数据与预期的数据是否一致来验证内存模块的数据传输准确性。

时序一致性测试:确认内存模块的时序设置是否正确,并检查内存模块对不同命令和操作的响应是否符合规范。

并发访问测试:测试内存模块在并发访问和多任务环境下的性能和稳定性。

一致性测试有助于检测潜在的内存问题,如数据传输错误、时序不一致、并发访问等,以确保内存模块在计算机系统中的正常运行。这种测试可以提高系统的稳定性、可靠性,并减少不一致性可能带来的数据损坏或系统故障。 DDR3内存的一致性测试是否需要长时间运行?PCI-E测试DDR3测试一致性测试

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双击PCB模块打开其Property窗口,切换到LayoutExtraction选项卡,在FileName处浏览选择备好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里选择PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator两种模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信号耦合,考虑非理想电源地的S参数模型;而使用SPEED2000Generator可以提取理想电源地情况下的非耦合信号的SPICE模型。前者模型提取时间长,但模型细节完整,适合终的仿真验证;后者模型提取快,SPICE模型仿真收敛性好,比较适合设计前期的快速仿真迭代。PCI-E测试DDR3测试一致性测试如何进行DDR3内存模块的热插拔一致性测试?

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还可以给这个Bus设置一个容易区分的名字,例如把这个Byte改为ByteO,这样就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS与Clock的总线关系设置好了。

重复以上操作,依次创建:DQ8〜DQ15、DM1信号;DQS1/NDQS1选通和时钟 CK/NCK的第2个字节Bytel,包括DQ16〜DQ23、DM2信号;DQS2/NDQS2选通和时钟 CK/NCK的第3个字节Byte2,包括DQ24〜DQ31、DM3信号;DQS3/NDQS3选通和时钟 CK/NCK的第4个字节Byte3。

开始创建地址、命令和控制信号,以及时钟信号的时序关系。因为没有多个Rank, 所以本例将把地址命令信号和控制信号合并仿真分析。操作和步骤2大同小异,首先新建一 个Bus,在Signal Names下选中所有的地址、命令和控制信号,在Timing Ref下选中CK/NCK (注意,不要与一列的Clock混淆,Clock列只对应Strobe信号),在Bus Type下拉框中 选择AddCmd,在Edge Type下拉框中选择RiseEdge,将Bus Gro叩的名字改为AddCmdo。

单击View Topology按钮进入SigXplorer拓扑编辑环境,可以按前面161节反射 中的实验所学习的操作去编辑拓扑进行分析。也可以单击Waveforms..按钮去直接进行反射和 串扰的布线后仿真。

在提取出来的拓扑中,设置Controller的输出激励为Pulse,然后在菜单Analyze- Preferences..界面中设置Pulse频率等参数,

单击OK按钮退出参数设置窗口,单击工具栏中的Signal Simulate进行仿真分析,

在波形显示界面里,只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看, 可以看到,差分时钟波形边沿正常,有一些反射。

原始设计没有接终端的电阻端接。在电路拓扑中将终端匹配的上拉电阻电容等电路 删除,再次仿真,只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看,可以看到, 时钟信号完全不能工作。 如何执行DDR3的一致性测试?

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单击NetCouplingSummary,出现耦合总结表格,包括网络序号、网络名称、比较大干扰源网络、比较大耦合系数、比较大耦合系数所占走线长度百分比、耦合系数大于0.05的走线 长度百分比、耦合系数为0.01〜0.05的走线长度百分比、总耦合参考值。

单击Impedance Plot (Collapsed),查看所有网络的走线阻抗彩图。注意,在彩图 上方有一排工具栏,通过下拉按钮可以选择查看不同的网络组,选择不同的接收端器件,选 择查看单端线还是差分线。双击Plot±的任何线段,对应的走线会以之前定义的颜色(白色) 在Layout窗口中高亮显示。 如何确保DDR3内存模块的兼容性进行一致性测试?山西智能化多端口矩阵测试DDR3测试

为什么要进行DDR3一致性测试?PCI-E测试DDR3测试一致性测试

重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻,其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置, 

(12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮,在界面中设置电阻模型后,单击OK按钮赋上电阻模型。

同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。

上拉电源或下拉到地的电压值可以在菜单中选择LogicIdentify DC Nets..来设置。 PCI-E测试DDR3测试一致性测试

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天津机械DDR3测试 2025-06-17

有其特殊含义的,也是DDR体系结构的具体体现。而遗憾的是,在笔者接触过的很多高速电路设计人员中,很多人还不能够说清楚这两个图的含义。在数据写入(Write)时序图中,所有信号都是DDR控制器输出的,而DQS和DQ信号相差90°相位,因此DDR芯片才能够在DQS信号的控制下,对DQ和DM信号进行双沿采样:而在数据读出(Read)时序图中,所有信号是DDR芯片输出的,并且DQ和DQS信号是同步的,都是和时钟沿对齐的!这时候为了要实现对DQ信号的双沿采样,DDR控制器就需要自己去调整DQS和DQ信号之间的相位延时!!!这也就是DDR系统中比较难以实现的地方。DDR规范这样做的原因很简单,是要把逻辑设...

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