· 工业规范标准，Specification：如果所设计的功能模块要实现某种工业标准接口或者协议，那一定要找到相关的工业规范标准，读懂规范之后，才能开始设计。
因此，为实现本设计实例中的 DDR 模块，需要的技术资料和文档。
由于我们要设计 DDR 存储模块，那么在所有的资料当中，应该较早了解 DDR 规范。通过对 DDR 规范文件「JEDEC79R」的阅读，我们了解到，设计一个 DDR 接口，需要满足规范中规定的 DC，AC 特性及信号时序特征。下面我们从设计规范要求和器件本身特性两个方面来解读，如何在设计中满足设计要求。 如何确保DDR3内存模块的兼容性进行一致性测试？广东DDR3测试HDMI测试
DDR3拓扑结构规划：Fly・by拓扑还是T拓扑
DDR1/2控制命令等信号，均采用T拓扑结构。到了 DDR3,由于信号速率提升，当负 载较多如多于4个负载时，T拓扑信号质量较差，因此DDR3的控制命令和时钟信号均釆用 F拓扑。下面是在某项目中通过前仿真比较2片负载和4片负载时，T拓扑和Fly-by拓 扑对信号质量的影响，仿真驱动芯片为Altera芯片，IBIS文件 为颗粒为Micron颗粒，IBIS模型文件为。
分别标示了两种拓扑下的仿真波形和眼图，可以看到2片负载 时，Fly-by拓扑对DDR3控制和命令信号的改善作用不是特别明显，因此在2片负载时很多 设计人员还是习惯使用T拓扑结构。 黑龙江DDR3测试眼图测试是否可以在运行操作系统时执行DDR3一致性测试？
DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作电压为1.2V；时钟信号频率为800〜1600MHz； 数据信号速率为1600〜3200Mbps；数据命令和控制信号速率为800〜1600Mbps。DDR4的时 钟、地址、命令和控制信号使用Fly-by拓扑走线；数据和选通信号依旧使用点对点或树形拓 扑，并支持动态ODT功能；也支持Write Leveling功能。
综上所述，DDR1和DDR2的数据和地址等信号都釆用对称的树形拓扑；DDR3和DDR4的数据信号也延用点对点或树形拓扑。升级到DDR2后，为了改进信号质量，在芯片内为所有数据和选通信号设计了片上终端电阻ODT(OnDieTermination)，并为优化时序提供了差分的选通信号。DDR3速率更快，时序裕量更小，选通信号只釆用差分信号。
DDR 规范解读
为了读者能够更好地理解 DDR 系统设计过程，以及将实际的设计需求和 DDR 规范中的主要性能指标相结合，我们以一个实际的设计分析实例来说明，如何在一个 DDR 系统设计中，解读并使用 DDR 规范中的参数，应用到实际的系统设计中。是某项目中，对 DDR 系统的功能模块细化框图。在这个系统中，对 DDR 的设计需求如下。
DDR 模块功能框图· 整个 DDR 功能模块由四个 512MB 的 DDR 芯片组成，选用 Micron 的 DDR 存储芯片 MT46V64M8BN-75。每个 DDR 芯片是 8 位数据宽度，构成 32 位宽的 2GBDDR 存储单元，地址空间为 Add<13..0>，分四个 Bank，寻址信号为 BA<1..0>。
DDR3一致性测试是否适用于双通道或四通道内存配置？
DDR信号的DC和AC特性要求之后，不知道有什么发现没有?对于一般信号而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信号的电平大小问题。但是在DDR中的AC特性规范中，我们可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含义?有些读者可能已经发现，是没有办法从这个指示当中获得准确的电压值的。这是因为，在DDR中，信号的AC特性所要求的不再是具体的电压值，而是一个电源和时间的积分值。影面积所示的大小，而申压和时间的积分值，就是能量!因此，对于DDR信号而言，其AC特性中所要求的不再是具体的电压幅值大小，而是能量的大小!这一点是不同于任何一个其他信号体制的，而且能量信号这个特性，会延续在所有的DDRx系统当中，我们会在DDR2和DDR3的信号体制中，更加深刻地感觉到能量信号对于DDRx系统含义。当然，除了能量的累积不能超过AC规范外，比较大的电压值和小的电压值一样也不能超过极限，否则，无需能量累积，足够高的电压就可以一次击穿器件。如何进行DDR3内存模块的热插拔一致性测试？甘肃DDR3测试TX/RX
DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境？广东DDR3测试HDMI测试
至此，DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮，在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释，连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，则也可以选择Updateo
设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。
On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大，特别是On-Die Capacitor,需要根据 实际情况正确设定。因为实际的IBIS模型和模板自带的IBIS模型管脚不同，所以退出控制器 设置窗口后，Controller和PCB模块间的连接线会显示红叉，表明这两个模块间连接有问题， 暂时不管，等所有模型设置完成后再重新连接。 广东DDR3测试HDMI测试
