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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。

EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。

晶圆键合类型

■   阳极键合

■   黏合剂键合

■   共熔键合

■   瞬间液相键合

■   热压键合

EVG键合机特征

■   基底高达 200mm

■   压力高达 100 kN

■   温度高达 550°C

■   真空气压低至 1·10-6 mbar

■   可选:阳极,UV固化,650℃加热器

EVG键合机加工服务

EVG设备的晶圆加工服务包含如下:

■   等离子活化直接键合

■   ComBond®

-  硅和化合物半导体的导电键合

■   高真空对准键合

■   临时键合和热、机械或者激光剖离

■   混合键合

■   黏合剂键合

■   集体D2W键合 EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。贵州键合机可以免税吗

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EVG ® 6200键合机选件

自动对准

红外对准,用于内部基板键对准

NanoAlign ®包增强加工能力

可与系统机架一起使用

掩模对准器的升级可能性


技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件


对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺

楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米


自动对准

可选的

处理系统

标准:3个卡带站


可选:**多5个站


低温键合机技术服务业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。

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EVG ® 510晶圆键合机系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容

特色

技术数据

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。

EVG320技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯


兆声区域传感器

可选的

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质:不锈钢和蓝宝石


刷的参数

材质:PVA

可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)

可调参数(刷压缩,介质分配)

自动化晶圆处理系统

扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320,使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作,达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。

可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644) EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。

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EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。官方授权经销键合机应用

EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。贵州键合机可以免税吗

键合机特征

高真空,对准,共价键合

在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电键合

室温过程

多种材料组合,包括金属(铝)

无应力键合界面

高键合强度

用于HVM和R&D的模块化系统


多达六个模块的灵活配置

基板尺寸**/大为200毫米

完全自动化


技术数据

真空度

处理:<7E-8 mbar

处理:<5E-8毫巴

集群配置

处理模块:**小 3个,**/大 6个

加载:手动,卡带,EFEM

可选的过程模块:

键合模块

ComBond ®激/活模块(CAM)

烘烤模块

真空对准模块(VAM)

晶圆直径


高达200毫米


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