EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） 业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。EVG805键合机键合精度
Smart View ® NT自动键合对准系统，用于通用对准。
全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 四川键合机三维芯片应用EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。
EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站，实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室，满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统，用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局，适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在**小的占地面积上，同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术，前/列的GEMINI大批量生产系统，并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息，请参/阅我们的GEMINI手册。
Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统，高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据，EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装，高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的键合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合，这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3D IC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 EVG500系列键合机拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。BONDSCALE键合机服务为先
晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。EVG805键合机键合精度
EVG ® 501键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的研究设计和配置
从单芯片到晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
兼容试生产，适合于学校、研究所等
开室设计，易于转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
平方米
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
EVG ® 501键合机技术数据
**/大接触力为20kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
EVG805键合机键合精度
岱美仪器技术服务（上海）有限公司成立于2002-02-07 00:00:00，注册资本：100-200万元。该公司贸易型的公司。岱美中国是一家其他有限责任公司企业，一直贯彻“以人为本，服务于社会”的经营理念;“质量高速，诚守信誉，持续发展”的质量方针。以满足顾客要求为己任；以顾客永远满意为标准；以保持行业**为目标，提供***的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。岱美中国自成立以来，一直坚持走正规化、专业化路线，得到了广大客户及社会各界的普遍认可与大力支持。
