光源用于一般用途应用之光源
***T2可用在Filmetrics设备的光源具有氘灯-钨丝与远端控制的快门来取代旧款Hamamatsu D2光源LS-LED1具有高亮度白光LED的光源
光纤配件：CP-RepairToolKitCP-1-1.3 接触探头是相当坚固的，但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令，以及简单的维修工具，新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22 米长，直径 200um 的光纤， 两端配备 SMA 接头。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32 米长，分叉反射探头。 F30 系列是监控薄膜沉积，**强有力的工具。盒厚测量膜厚仪学校会用吗
Total Thickness Variation (TTV) 应用
规格:
测量方式:
红外干涉(非接触式)
样本尺寸:
50、75、100、200、300 mm， 也可以订做客户需要的产品尺寸
测量厚度:
15 — 780 μm (单探头)
3 mm (双探头总厚度测量)
扫瞄方式:
半自动及全自动型号,
另2D/3D扫瞄(Mapping)可选
衬底厚度测量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差...
可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)
重复性:
0.1 μm (1 sigma)单探头*
0.8 μm
(1 sigma)双探头*
分辨率:
10 nm
请访问我们的中文官网了解更多关于本产品的信息。
盒厚测量膜厚仪学校会用吗重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ；0.8 μm (1 sigma)双探头*。
FSM 413SP
AND FSM 413C2C 红外干涉测量设备
适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
厚度变化 (TTV)
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
不同半导体材料的厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
FSM413SP半自动机台人工取放芯片
Wafer 厚度3D图形
FSM413C2C Fully
automatic 全自动机台人工取放芯片
可适配Cassette、SMIF POD、FOUP.
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在, 在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。
非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。 测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。
Filmetrics 设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数， 并且“一键”出结果。
测量范例多晶硅被***用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。
F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。
F30 系列监控薄膜沉积，**强有力的工具F30 光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数 (n 和 k 值) 和半导体以及电介质层的均匀性。
样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。 这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。
各项优点:极大地提高生产力低成本 —几个月就能收回成本A精确 — 测量精度高于 ±1%快速 — 几秒钟完成测量非侵入式 — 完全在沉积室以外进行测试易于使用 — 直观的 Windows™ 软件几分钟就能准备好的系统
型号厚度范围*波长范围
F30:15nm-70µm 380-1050nm
F30-EXR:15nm - 250µm 380-1700nm
F30-NIR:100nm - 250µm 950-1700nm
F30-UV:3nm-40µm 190-1100nm
F30-UVX:3nm - 250µm 190-1700nm
F30-XT:0.2µm - 450µm1440-1690nm 测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。玻璃膜厚仪供应商家
红外干涉测量技术, 非接触式测量。盒厚测量膜厚仪学校会用吗
厚度标准：
所有 Filmetrics 厚度标准都是得到验证可追溯的 NIST 标准。
S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的 NIST 厚度校准。
TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 3100A，4" 晶圆。
TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 10000A，4" 晶圆。
TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约 4um，直径 2"。
TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。
TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 4um ，直径2"。
TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 8um，23mm x 23mm。
TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约 7200A，4" 晶圆。
TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度标准。
TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為 8000A。 盒厚测量膜厚仪学校会用吗
岱美仪器技术服务（上海）有限公司成立于2002-02-07，是一家贸易型的公司。公司业务分为[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]等，目前不断进行创新和服务改进，为客户提供质量的产品和服务。公司秉持诚信为本的经营理念，在仪器仪表深耕多年，以技术为先导，以自主产品为**，发挥人才优势，打造仪器仪表质量品牌。截止当前，我公司年营业额度达到100-200万元，争取在一公分的领域里做出一公里的深度。
