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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 501键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的研究设计和配置

从单芯片到晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

兼容试生产,适合于学校、研究所等

开室设计,易于转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

平方米

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


EVG ® 501键合机技术数据

**/大接触力为20kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器,是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。EVG850 DB键合机售后服务

EVG850 DB键合机售后服务,键合机

    EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站,实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室,满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统,用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局,适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在**小的占地面积上,同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术,前/列的GEMINI大批量生产系统,并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息,请参/阅我们的GEMINI手册。 SOI键合机中芯在用吗EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的专用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。

EVG850 DB键合机售后服务,键合机

EVG ® 610 BA键对准系统

适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统


特色

技术数据

EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。


特征

**适合EVG ® 501和EVG ®

510键合系统

晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm

手动高精度对准台

手动底面显微镜

基于Windows 的用户界面

研发和试生产的**/佳总拥有成本(TCO)

完美的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言)

桌面系统设计,占用空间**小

支持红外对准过程


EVG ® 610 BA 键合机技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件


对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺


楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

可选的

处理系统

标准:2个卡带站

可选:**多5个站


在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。

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永/久键合系统

EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场革命。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供**/佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或高级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。山东键合机要多少钱

EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。EVG850 DB键合机售后服务

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。


特征

在单个平台上的200 mm和300

mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底


BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

**/高 数量或过程模块

8

通量

每小时**多40个晶圆


处理系统

4个装载口

特征

多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量

光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ EVG850 DB键合机售后服务

岱美仪器技术服务(上海)有限公司致力于仪器仪表,以科技创新实现高品质管理的追求。岱美中国深耕行业多年,始终以客户的需求为向导,为客户提供高品质的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。公司坚持以技术创新为发展引擎,以客户满意为动力,目前拥有11~50人专业人员,年营业额达到100-200万元。岱美中国始终关注仪器仪表市场,以敏锐的市场洞察力以准确定位,实现与客户的成长共赢。

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