EVG ® 501
晶圆键合系统
适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统
特色
技术数据
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200
mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。西藏键合机高性价比选择
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） 河北原装进口键合机EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。
EVG ® 6200键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站
EVG键合机加工结果
除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的精/准的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
模块设计
各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。
EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850
SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。 EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。CMOS键合机
EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。西藏键合机高性价比选择
EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850
LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。 西藏键合机高性价比选择
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