EVG ® 6200 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产
特色
技术数据
EVG键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
适用于EVG所有的200 mm键合系统
支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准
手动或电动对中平台,带有自动对中选项
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面 EVG服务:高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。熔融键合键合机当地价格

EVG320技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
200、100-300毫米
清洁系统
开室,旋转器和清洁臂
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:**/高3000 rpm(5秒内)
超音速喷嘴
频率:1 MHz(3 MHz选件)
输出功率:30-60 W
去离子水流量:**/高1.5升/分钟
有效清洁区域:Ø4.0 mm
材质:聚四氟乙烯
兆声区域传感器
可选的
频率:1 MHz(3 MHz选件)
输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)
去离子水流量:**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质:不锈钢和蓝宝石
刷的参数
材质:PVA
可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)
可调参数(刷压缩,介质分配)
自动化晶圆处理系统
扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320,使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作,达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。
可选功能
ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644) GEMINI键合机研发可以用吗EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI,支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ
EVG 晶圆键合机上的键合过程
支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。
键合机软件支持
基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分布于全球的支持结构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和
北美 (美国). EVG键合机顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。

EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准,用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米
厚度:0.1-10毫米
**/高堆叠高度:10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准:3个卡带站
可选:**多5个站 同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。EVG301键合机
对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。熔融键合键合机当地价格
EVG ® 850 LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:**/高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 熔融键合键合机当地价格
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