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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

Smart View NT键合机特征

适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)

用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠

通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准)

无需Z轴运动,也无需重新聚焦

基于Windows的用户界面

将键对对准并夹紧,然后再装入键合室

手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成)


Smart View ® NT选件

可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统


技术数据

基板/晶圆参数

尺寸:150-200、200-300毫米

厚度:0.1-5毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

标准

处理系统

3个纸盒站(**/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米) EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。重庆键合机有谁在用

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临时键合系统

临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3D IC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 中国台湾晶片键合机EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。

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EVG ® 610 BA键对准系统

适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统


特色

技术数据

EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。


特征

**适合EVG ® 501和EVG ®

510键合系统

晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm

手动高精度对准台

手动底面显微镜

基于Windows 的用户界面

研发和试生产的**/佳总拥有成本(TCO)

键合机特征

高真空,对准,共价键合

在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电键合

室温过程

多种材料组合,包括金属(铝)

无应力键合界面

高键合强度

用于HVM和R&D的模块化系统


多达六个模块的灵活配置

基板尺寸**/大为200毫米

完全自动化


技术数据

真空度

处理:<7E-8 mbar

处理:<5E-8毫巴

集群配置

处理模块:**小 3个,**/大 6个

加载:手动,卡带,EFEM

可选的过程模块:

键合模块

ComBond ®激/活模块(CAM)

烘烤模块

真空对准模块(VAM)

晶圆直径


高达200毫米


以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。

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EVG ® 501键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的研究设计和配置

从单芯片到晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

兼容试生产,适合于学校、研究所等

开室设计,易于转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

平方米

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


EVG ® 501键合机技术数据

**/大接触力为20kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器,是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。美元报价键合机联系电话

EVG键合机提供的加工服务。重庆键合机有谁在用

对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底制造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。

主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。

键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 重庆键合机有谁在用

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