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下面为大家介绍一下高温钟罩炉的结构系统。 一、炉体配置 炉膛结构：采用多晶莫来石材料砌筑而成 有效尺寸：φ 300×320mm（D×H） 设备重量：约 1200Kg 外观颜色：挂板采用高温喷塑，颜色为江淮蓝 外形尺寸：W1300×H2200×D1510 (mm)，不含(囱、指示灯） 二、热工系统 1.额定温度 ：1550℃ 2.限制温度 ：1600℃ 3.加热元件： U 型硅钼棒 4.加热功率 ：16kW 5.空炉保温功率 ≤8kW 6.温区个数 ：1 个 7.控温点数 ：1 点 8.热偶 :B 分度 9.程序**精度 ：±2℃（大于 600℃,升温速率≤3℃/min） 10.控温稳定度 ：±1℃(恒温平台) 11.炉膛温度均匀度： ±4℃（恒温 1500℃,2h）合肥真萍科技的优势有哪些呢？听听小编为您介绍。生产试验箱代理

真萍科技电脑式洁净节能氮气柜主要应用于解决晶圆片的潮湿、氧化及被其它气体(ex 阿摩利亚气体)破坏，解决探针卡潮湿及氧化问题解决光罩的受潮问题---黄光部封装的金线，解决液晶的受潮问题，解决线路板受潮问题。下面为大家简单介绍一下真萍科技电脑式洁净节能氮气柜的氮气监控系统。 1.温湿度记录功能： 1.2内建内存，可储存温度/湿度，收集时间1~240 分钟可自行设定。 1.3可利用RS232连接阜下载至计算机中读取。 1.4品管记录格式设计，有助于内部记录追踪并可支持数据库档案格式。 2.湿度警报系统： 2.1可设定启动警报的湿度值及条件，内配蜂鸣器（90分贝）及闪烁警示功能。 2.2可另外选配积层式警示灯。 3.温湿度偏移校正功能：内建校正功能，确保显示准确度。哪里有试验箱多少钱一台合肥真萍科技的试验箱怎么样？实地考察下真萍就知道了。

本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱，首先简单介绍一下HMDS 预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲 水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。   增黏剂HMDS（六甲基二硅氮烷）可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

下面为大家介绍一下石墨盘**真空烤盘炉的技术指标。 1.使用温度：1450℃；比较高温度：1500℃； 2.绝热材料：石墨纤维毯、石墨纸； 3.加热元件：石墨加热棒； 4.冷却方式：气冷 + 循环风冷降温； 5.控温稳定度：±2℃，具有PID参数自整定功能； 6.炉膛温度均匀度：±5℃（恒温1500℃）； 7.气氛: 可向炉膛内通入干燥、洁净、无油的高纯度氮气,纯度≥99.999%； 8.极限真空: 10-3torr级； 9.抽气速率：空载下，30min达到10-2torr 10.升温功率：170kW； 11.升温速率：15℃/min（空载）； 12.降温速率：1450℃至80℃,240分钟 13.腔体尺寸：1000*1000*1000mm（宽*深*高）试验箱选购应该注意哪些呢？合肥真萍科技告诉您。

中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理，下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。 一、热工系统 1.额定温度 800℃ 2.较高温度 850℃ 3.加热元件 陶瓷外丝加热管 4.加热功率 18kw 5.空炉保温功率 约 9kw 6.温区个数 1 个 7.控温点数 2 点 8.热偶 K 分度 9.控温稳定度 ±1℃(恒温平台) 10.炉膛温度均匀度 ±6℃（恒温 800℃,1h） 二、冷却系统 1.冷却结构 无 2.产品降温 随炉降温 3.安全保护 4.报警指示 超温、断偶、停水、停气等声光报警保护 5.设备安全升温速率 ≤5℃/min购买试验箱，敬请联系合肥真萍科技。哪里有试验箱多少钱一台

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无氧干燥箱应用于航空、航天、石油、化工、***、船舶、电子、通讯等科研及生产单位，主要作BPO胶/PI胶/BCB胶固化，模压固烤、IC（晶圆、CMOS、Bumping、TSV、MENS、指纹识别）、FPD、高精密电子元件、电子陶瓷材料无尘烘干，电工产品、材料、零备件等的高温洁净和无氧环境中干燥和老化试验。下面为大家介绍一下真萍科技无氧干燥箱。 一、技术指标与基本配置： 1.使用温度：RT～260℃，极限温度：300℃； 2.炉膛腔数:2个,上下布置； 3.炉膛材料：SUS304镜面不锈钢；加热元件：不锈钢加热器；热偶：K分度 4.温度和氧含量记录:无纸记录仪； 二、氧含量（配氧分析仪）： 1.高温状态氧含量：≤ 10ppm +气源氧含量;低温状态氧含量：≤ 20ppm +气源氧含量 2.控温稳定度：±1℃； 2.3温度均匀度：±2%℃（260℃平台）；生产试验箱代理

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