EVG®610 掩模对准系统
■ 晶圆规格
：100 mm / 150 mm / 200 mm
■ 顶/底部对准精度达到 ± 0.5 µm / ± 1.0 µm
■ 用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜
■ 软件，硬件，真空和接近式曝光
■ 自动楔形补偿
■ 键合对准和NIL可选
■ 支持**/新的UV-LED技术
EVG®620 NT / EVG®6200 NT
掩模对准系统（自动化和半自动化）
■ 晶圆产品规格
：150 mm / 200 mm
■ 接近式楔形错误补偿
■ 多种规格晶圆转换时间少于5分钟
■ 初次印刷高达180 wph / 自动对准模式为140 wph
■ 可选**的抗震型花岗岩平台
■ 动态对准实时补偿偏移
■ 支持**/新的UV-LED技术 EVG所有光刻设备平台均为300mm。江苏EV Group光刻机
EVG ® 6200 NT掩模对准系统（半自动/自动）
特色：EVG ® 6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。
技术数据：EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称，可在**小的占位面积上提供**/先进的掩模对准技术，并具有**/高的产能，先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件，**短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200 NT或完全安装的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置，并配有集成的振动隔离功能，可在广/泛的应用中实现出色的曝光效果，例如薄和厚光刻胶的曝光，深腔和类似地形的图案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。 贵州光刻机高性价比选择EVG光刻机的掩模对准器和工艺能力经过客户现场验证，安装并集成在全球各地的用户系统中。
EVG101光刻胶处理系统的特征：
晶圆尺寸可达300毫米；
自动旋转或喷涂或通过手动晶圆加载/卸载进行显影；
利用成熟的模块化设计和标准化软件，快速轻松地将过程从研究转移到生产；
注射器分配系统，用于利用小体积的光刻胶，包括高粘度光刻胶；
占地面积小，同时保持较高的人身和流程安全性；
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）。
选项功能：
使用OmniSpray®涂层技术对高形晶圆表面进行均匀涂层；
蜡和环氧涂层，用于后续粘合工艺；
玻璃旋涂（SOG）涂层。
曝光光学：提供不同配置的曝光光学系统，旨在实现任何应用的**/大灵活性。汞灯曝光光学系统针对150，200和300 mm基片进行了优化，可与各种滤光片一起用于窄带曝光要求，例如i-，g-和h-线滤光片，甚至还有深紫外线。 EVG610 掩模对准系统，支持的晶圆尺寸：100 mm / 150 mm / 200 mm。
EVG620 NT技术数据：
曝光源：
汞光源/紫外线LED光源
先进的对准功能：
手动对准/原位对准验证
自动对准
动态对准/自动边缘对准
对准偏移校正算法
EVG620 NT产量:
全自动：第/一批生产量：每小时180片
全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆
晶圆直径（基板尺寸）：高达150毫米
对准方式：
上侧对准：≤±0.5 µm
底侧对准：≤±1,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±3.0 µm
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
楔形补偿：全自动软件控制
曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光
系统控制：
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
实时远程访问，诊断和故障排除
工业自动化功能：
盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
纳米压印光刻技术：SmartNIL ® 可在众多应用场景中找到EVG的设备应用，包括高级封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS。贵州光刻机高性价比选择
可以使用用于压印光刻的工具，例如紫外光纳米压印光刻，热压印或微接触印刷。江苏EV Group光刻机
EVG101光刻胶处理系统的技术数据：
可用模块：旋涂/ OmniSpray ® /开发
分配选项：
各种光刻胶分配泵，可覆盖高达52000 cP的粘度；
液体底漆/预湿/洗盘；
去除边缘珠（EBR）/背面冲洗（BSR）；
恒压分配系统/注射器分配系统。
智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）
用于过程和机器控制的集成分析功能
并行任务/排队任务处理功能，提高效率
设备和过程性能跟/踪功能：智能处理功能；事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪
晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米
江苏EV Group光刻机
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