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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

键合机特征

高真空,对准,共价键合

在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电键合

室温过程

多种材料组合,包括金属(铝)

无应力键合界面

高键合强度

用于HVM和R&D的模块化系统


多达六个模块的灵活配置

基板尺寸**/大为200毫米

完全自动化


技术数据

真空度

处理:<7E-8 mbar

处理:<5E-8毫巴

集群配置

处理模块:**小 3个,**/大 6个

加载:手动,卡带,EFEM

可选的过程模块:

键合模块

ComBond ®激/活模块(CAM)

烘烤模块

真空对准模块(VAM)

晶圆直径


高达200毫米


根据键合机型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。青海键合机美元价格

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EVG ® 805解键合系统

用途:薄晶圆解键合

特色

技术数据

EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。


特征

开放式胶粘剂平台

解键合选项:

热滑解键合

解键合

机械解键合

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

薄晶圆处理的独特功能

多种卡盘设计,可支撑**/大300 mm的晶圆/基板和载体

高形貌的晶圆处理

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

晶片**/大300 mm

高达12英寸的薄膜

组态

1个解键合模块

选件

紫外线辅助解键合

高形貌的晶圆处理

不同基板尺寸的桥接能力 甘肃官方授权经销键合机EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。

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Ziptronix Inc. 与 EV Group(简称“EVG ”)***宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在 EVG Gemini FB 产品融合键合机和 SmartView NT 键合对准机上采用 Ziptronix 的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路,包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技术官兼工程副总裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合键合技术的性能不受连接间距的限制,只需要可进行测量的适当的对准和布局工具,而这是之前一直未能解决的难题。EVG 的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度,此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产 (HVM) 铺平了道路。”

熔融和混合键合系统

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。

混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。

EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810 LT低温等离子激/活系统;EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。

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EVG ® 610 BA键对准系统

适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统


特色

技术数据

EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。


特征

**适合EVG ® 501和EVG ®

510键合系统

晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm

手动高精度对准台

手动底面显微镜

基于Windows 的用户界面

研发和试生产的**/佳总拥有成本(TCO) 自动晶圆键合机系统EVG®560,拥有多达4个键合室,能满足各种键合操作;可以自动装卸键合室和冷却站。EV Group键合机推荐厂家

EVG键合机顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。青海键合机美元价格

EVG ® 850 LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 青海键合机美元价格

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