镜头组件Filmetrics 提供几十种不同镜头配置。订制专门用途 的镜片一般在几天之内可以完成。
LA-GL25-25-30-EXR用于 60-1000mm 工作距离的直径 1" 镜头组件，30mm 焦距镜头。KM-GL25用于直径 1" 镜头的简化动力支架。 可以在两个轴上斜向调节。 8-32 安装螺纹。KM-F50用于直径 0.5" 镜头的简化动力支架。 还可以用于 F50。可提供不同的镜头组合。LA-F50/SS-13-20-UVX小光斑 (200um) 选项，可见光, 近红外或紫外线。
如果您想要了解更多的信息，请联系我们岱美仪器。 测量方式: 红外干涉(非接触式)。有机发光膜厚仪半导体行业
光源用于一般用途应用之光源
***T2可用在Filmetrics设备的光源具有氘灯-钨丝与远端控制的快门来取代旧款Hamamatsu D2光源LS-LED1具有高亮度白光LED的光源
光纤配件：CP-RepairToolKitCP-1-1.3 接触探头是相当坚固的，但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令，以及简单的维修工具，新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22 米长，直径 200um 的光纤， 两端配备 SMA 接头。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32 米长，分叉反射探头。 穿透率膜厚仪现场服务红外干涉测量技术, 非接触式测量。
F54包含的内容：
集成光谱仪/光源装置
MA-Cmount 安装转接器
显微镜转接器光纤连接线BK7
参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000
厚度标准 聚焦/厚度标准4", 6" and 200mm
参考晶圆真空泵备用灯
型号厚度范围*波长范围
F54:20nm-40µm 380-850nm
F54-UV:4nm-30µm 190-1100nm
F54-NIR:40nm-100µm 950-1700nm
F54-EXR:20nm-100µm 380-1700nm
F54-UVX:4nm-100µm190-1700nm
*取决于材料与显微镜
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。
测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。 基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。
F10-AR
无须处理涂层背面我们探头设计能抑 制 1.5mm 厚基板 98% 的背面反射，使用更厚的镜头抑 制的更多。
就像我们所有的台式仪器一样，F10-AR 需要连接到您装有 Windows 计算机的 USB 端口上并在数分钟内即可完成设定。
包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure 8 软件FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)CP-1-1.3 探头BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)备用灯
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 F50测厚范围：20nm-70µm；波长：380-1050nm。有机发光膜厚仪半导体行业
F20测厚范围：15nm - 70µm；波长：380-1050nm。有机发光膜厚仪半导体行业
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在, 在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。
非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。 测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。
Filmetrics 设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数， 并且“一键”出结果。
测量范例多晶硅被***用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。
有机发光膜厚仪半导体行业
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