EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。氮化镓键合机技术支持

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度,使用恒温炉进行低温退火,解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高,环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时,具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。北京研究所键合机EVG键合机顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。

EVG®320自动化单晶圆清洗系统
用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理(可选)
使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
EVG®301技术数据
晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米
清洁系统
开室,旋转器和清洁臂
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:蕞高3000rpm(5秒内)
超音速喷嘴
频率:1MHz(3MHz选件)
输出功率:30-60W
去离子水流量:蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域:Ø4.0mm
材质:聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率:1MHz(3MHz选件)
输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)
去离子水流量:蕞高1.5升/分钟
有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质:不锈钢和蓝宝石
刷子
材质:PVA
可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)
可调参数(刷压缩,介质分配)
EVG和岱美经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持。

EVG®810LT技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)
通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)
真空系统:9x10-2mbar
腔室的打开/关闭:自动化
腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)
可选功能:
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/
Si(热氧化)
TEOS/TEOS(热氧化)
绝缘体锗(GeOI)的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半导体:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)
EVG501 晶圆键合机(系统):真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现最/高产量;研发和试生产的最/低 购置成本。半导体设备键合机国内用户
EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。氮化镓键合机技术支持
EVG®301技术数据
晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米
清洁系统
开室,旋转器和清洁臂
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:蕞高3000rpm(5秒内)
超音速喷嘴
频率:1MHz(3MHz选件)
输出功率:30-60W
去离子水流量:蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域:Ø4.0mm
材质:聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率:1MHz(3MHz选件)
输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)
去离子水流量:蕞高1.5升/分钟
有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质:不锈钢和蓝宝石
刷子
材质:PVA
可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)
可调参数(刷压缩,介质分配)
氮化镓键合机技术支持
岱美仪器技术服务(上海)有限公司一直专注于磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 ,是一家仪器仪表的企业,拥有自己**的技术体系。目前我公司在职员工以90后为主,是一个有活力有能力有创新精神的团队。诚实、守信是对企业的经营要求,也是我们做人的基本准则。公司致力于打造***的半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪。公司凭着雄厚的技术力量、饱满的工作态度、扎实的工作作风、良好的职业道德,树立了良好的半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪形象,赢得了社会各界的信任和认可。