EVG ® 620 NT特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和转换工具
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 620 NT附加功能：
键对准
红外对准
SmartNIL
µ接触印刷技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
标准光刻：比较大150毫米的碎片
柔软的UV-NIL：比较大150毫米的碎片
SmartNIL ®：在100毫米范围
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：软UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外线LED光源
对准：
软NIL：≤±0.5 µm
SmartNIL ®：≤±3微米
自动分离：柔紫外线NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔软的UV-NIL：外部：SmartNIL ®：支持
HERCULES ® NIL是完全集成SmartNIL ®的 UV-NIL紫外光纳米压印系统。连续纳米压印国内用户
纳米压印设备哪个好？预墨印章用于将材料以明显的图案转移到基材上。该技术用于表面化学的局部修饰或捕获分子在生物传感器制造中的精确放置。
纳米压印设备可以进行热压花、加压加热、印章、聚合物、基板、附加冲压成型脱模。
将聚合物片或旋涂聚合物加热到其玻璃化转变温度以上，从而将材料转变为粘性状态。然后以足够的力将压模压入聚合物中。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。
江西纳米压印国内代理纳米压印设备可用来进行热压花、加压加热、印章、聚合物、基板、附加冲压成型脱模。
EVGROUP®|产品/纳米压印光刻解决方案
纳米压印光刻的介绍：
EV Group是纳米压印光刻（NIL）的市场**设备供应商。EVG开拓了这种非常规光刻技术多年，掌握了NIL并已在不断增长的基板尺寸上实现了批量生产。EVG的专有SmartNIL技术通过多年的研究，开发和现场经验进行了优化，以解决常规光刻无法满足的纳米图案要求。SmartNIL可提供低至40 nm的出色保形压印结果。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本的技术，大批量替代光刻技术。
EVG ® 7200 LA大面积SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
用于大面积****的共形纳米压印光刻。
EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术，将纳米压印光刻（NIL）缩放为第三代（550 mm x 650 mm）面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器，线栅偏振器，生物技术和光子元件等应用，至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济有效的方法，因为它不受光学系统的限制，并且可以为**小的结构提供比较好的图案保真度。
SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺，提供了低至40 nm *的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能（包括****的易用性）以及高水平的工艺专业知识，EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。
*分辨率取决于过程和模板 IQ Aligner UV-NIL是自动化紫外线纳米压印光刻系统，是用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印的系统。3D IC纳米压印现场服务
IQ Aligner®是EVG的可用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统。连续纳米压印国内用户
纳米压印光刻设备-处理结果：
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像
资料来源：EVG与SwissLitho
AG合作（欧盟项目SNM）
2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片
资料来源：EVG
3.高纵横比（7：1）的10 µm柱阵列
由加拿大国家研究委 员会提供
4.L / S光栅具有优化的残留层，厚度约为10 nm
资料来源：EVG
5.紫外线成型镜片300 µm
资料来源：EVG
6.光子晶体用于LED的光提取
多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形结构50 µm
资料来源：EVG
8.**小尺寸的光模块晶圆级封装
资料来源：EVG
9.光子带隙传感器光栅
资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）
10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相
资料来源：EVG 连续纳米压印国内用户
