EVG ® 720自动SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
自动全视野的UV纳米压印溶液达150毫米，设有EVG's专有SmartNIL ®技术
EVG720系统利用EVG的创新SmartNIL技术和材料专业知识，能够大规模制造微米和纳米级结构。具有SmartNIL技术的EVG720系统能够在大面积上印刷小至40 nm *的纳米结构，具有****的吞吐量，非常适合批量生产下一代微流控和光子器件，例如衍射光学元件（ DOEs）。
*分辨率取决于过程和模板
如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。也可以访问官网，获得更多信息。 NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济、高 效的方法。甘肃纳米压印技术服务
NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法，因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制，并且它可以为极小尺寸（小于100分）提供比较好图案保真度nm）结构。
EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现****的吞吐量，并具有显着的拥有成本优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 中国澳门纳米压印价格怎么样EVG的纳米压印设备已使纳米图案能够在面板尺寸比较大为第三代（550 mm x 650 mm）的基板上实现。
HERCULES ® NIL特征：
全自动UV-NIL压印和低力剥离
**多300毫米的基材
完全模块化的平台，具有多达八个可交换过程模块（压印和预处理）
200毫米/ 300毫米桥接工具能力
全区域烙印覆盖
批量生产**小40 nm或更小的结构
支持各种结构尺寸和形状，包括3D
适用于高地形（粗糙）表面
*分辨率取决于过程和模板
HERCULES ® NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至200毫米/ 200和300毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm²
对准：≤±3微米
自动分离：支持的
前处理：提供所有预处理模块
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
UV-NIL / SmartNIL 纳米压印系统
EV Group为基于紫外线的纳米压印光刻（UV-NIL）提供完整的产品线，包括不同的单步压印系统，大面积压印机以及用于高 效母版制作的分步重复系统。除了柔软的UV-NIL，EVG还提供其专有的SmartNIL技术以及多种用途的聚合物印模技术。高 效，强大的SmartNIL工艺可提供高图案保真度，高度均匀的图案层和**少的残留层，并具有易于调整的晶圆尺寸和产量。EVG的SmartNIL兑现了纳米压印的长期承诺，即纳米压印是一种用于大规模生产微米和纳米级结构的高性能，低成本和具有批量生产能力的技术。
这个系列的型号包括：EVG®610；EVG®620NT；EVG®6200NT；EVG®720；EVG®7200；EVG®7200LA；HERCULES®NIL；EVG®770；IQAligner®。 EVG ® 610也可以设计成紫外线纳米压印光刻系统。
HERCULES ® NIL完全模块化和集成SmartNIL ® UV-NIL系统达300毫米
结合EVG的SmartNIL一个完全模块化平台®技术支持AR / VR，3D传感器，光子和生物技术生产应用
EVG的HERCULES NIL 300 mm是一个完全集成的跟 踪系统，将清洁，抗蚀剂涂层和烘烤预处理步骤与EVG专有的SmartNIL大面积纳米压印光刻（NIL）工艺结合在一个平台上，用于直径比较大为300 mm的晶圆。它是***个基于EVG的全模块化设备平台和可交换模块的NIL系统，可为客户提供比较大的自由度来配置他们的系统，以比较好地满足其生产需求，包括200 mm和300 mm晶圆的桥接功能。
EVG的纳米压印设备括不同的单步压印系统，大面积压印机以及用于高 效母版制作的分步重复系统。甘肃纳米压印技术服务
NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法。甘肃纳米压印技术服务
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅**简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。甘肃纳米压印技术服务
