针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究，以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象，提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺，以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量，以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度，使用恒温炉进行低温退火，解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高，环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时，具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB，使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。EVG键合机应用
EVG键合机加工结果 除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的准确的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。 模块设计 各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。广西RF滤波器键合机EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。
EVG®520IS晶圆键合机系统：
单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产。
EVG520IS单腔单元可半自动操作蕞大200mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计，具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征：
全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项：
高真空能力（1E-6毫巴）
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
蕞大接触力
10、20、60、100kN
加热器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸单芯片100毫米
真空
标准：1E-5mbar
可选：1E-6mbar
临时键合系统：
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°
结合力：蕞高5N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。EVG键合机应用
对于无夹层键合工艺，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。EVG键合机应用
熔融和混合键合系统：
熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层长久连接，该介电层用于工程衬底或层转移应用，例如背面照明的CMOS图像传感器。
混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合，从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。
EVG的熔融和混合键合设备包含：EVG301单晶圆清洗系统；EVG320自动化单晶圆清洗系统；EVG810LT低温等离子基活系统；EVG850LTSOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；EVG850SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；GEMINIFB自动化生产晶圆键合系统；BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 EVG键合机应用
