EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。安徽碳化硅键合机
EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压安徽碳化硅键合机EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500套。
ComBond自动化的高真空晶圆键合系统，高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据，EVGComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到膏端MEMS封装，高性能逻辑和“beyondCMOS”器件ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的键合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合，这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。
EVG®810LT技术数据晶圆直径（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）真空系统：9x10-2mbar腔室的打开/关闭：自动化腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）可选功能：卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/Si（热氧化）TEOS/TEOS（热氧化）绝缘体锗（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半导体：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）晶圆级涂层、封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅是当夏流行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或正方形子组件可能瑾包含一种半导体材料或多达整个电路，例如集成电路计算机处理器。EVG键合机晶圆键合类型有：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。研究所键合机推荐型号
我们在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。安徽碳化硅键合机
真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） 清洁站 清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选） 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％浓度（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：蕞/高3000rpm（5s） 清洁臂：蕞多5条介质线（1个超音速系统使用2条线） 可选功能 ISO3mini-environment（根据ISO14644） LowTemp™等离子活化室 红外检查站 以上资料由岱美仪器提供并做技术支持安徽碳化硅键合机
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