1954年，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。逐步形成作为高技术产业**的半导体工业。由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。无锡微原，用匠心精神雕琢每一款电子元器件。溧水区电子元器件性能
故障特点：稳压二极管的故障主要表开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下：型号1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761变容二极管变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差。
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我国电子元件的产量已占全球的近39%以上。产量居世界***的产品有：电阻器、电容器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。伴随我国电子信息产业规模的扩大，珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中，产业链较完整，具有相当的规模和配套能力。我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题：中低档产品过剩，**产品主要依赖进口；缺乏**技术，产品利润较低；企业规模较小，技术开发投入不足。
对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。3 可变电容器的检测A 用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。B 用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂。
检测10pF～0.01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C 对于0.01μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。无锡微原电子，为游戏设备提供流畅体验的关键元件。栖霞区现代化电子元器件
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为加快推动产业高质量发展，工业和信息化部强化政策指引，统筹指导电子元器件产业发展。乔跃山强调，工信部统筹利用相关专项，支持一批电子元器件研发及产业化；支持培育700余家电子元器件领域专精特新“小巨人”企业；同时，加强产业链协同发展，指导行业协会编制《电子元器件产业体系框架手册》，明确产业发展靶向；并指导有关单位加快相关国家标准制修订，支持建设电子元器件质量可靠性技术提升等公共服务平台。工信部将继续深入实施《基础电子元器件产业发展行动计划（2021—2023年）》，加强产业统筹布局；推动骨干企业加快攻关突破，面向5G通信、新能源等领域，加快关键技术研发及产业化；同时，推动电子元器件和电子材料、电子**设备及测量仪器等加强协作，引导基础电子产业升级；并推动电子元器件国际交易中心建设。溧水区电子元器件性能
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