机械设备的危害因素机械的危害有运动部件的危害、静止的危害和其他危害。⒈运动部件的危害这种危害主要来自机械设备的危险部位,包括:⑴旋转的部件,如旋转的轴、凸块和孔,旋转的连接器、芯轴,以及旋转的刀夹具、风扇叶、飞轮等。⑵旋转部件和成切线运动部件间的咬合处,如动力传输皮带和它的传动轮,链条和链轮等。⑶相...
绝缘子按安装方式不同,可分为悬式绝缘子和支柱绝缘子;按照使用的绝缘材料的不同,可分为瓷绝缘子、玻璃绝缘子和复合绝缘子(也称合成绝缘子);按照使用电压等级不同,可分为低压绝缘子和高压绝缘子;按照使用的环境条件的不同,派生出污秽地区使用的耐污绝缘子;按照使用电压种类不同,派生出直流绝缘子;尚有各种特殊用途的绝缘子,如绝缘横担、半导体釉绝缘子和配电用的拉紧绝缘子、线轴绝缘子和布线绝缘子等。悬式绝缘子广泛应用于高压架空输电线路和发、变电所软母线的绝缘及机械固定。在悬式绝缘子中,又可分为盘形悬式绝缘子和棒形悬式绝缘子。盘形悬式绝缘子是输电线路使用普遍的一种绝缘子。棒形悬式绝缘子在德国等国家已大量采用。支柱绝缘子主要用于发电厂及变电所的母线和电气设备的绝缘及机械固定。此外,支柱绝缘子常作为隔离开关和断路器等电气设备的组成部分。在支柱绝缘子中,又可分为针式支柱绝缘子和棒形支柱绝缘子。针式支柱绝缘子多用于低压配电线路和通信线路,棒形支柱绝缘子多用于高压变电所。氧化镁陶瓷可用于制作高温陶瓷瓶身支撑结构。包头莫来石陶瓷直销
精加工与封装工序有些氧化铝陶瓷材料在完成烧结后,尚需进行精加工。如可用作人工骨的制品要求表面有很高的光洁度、如镜面一样,以增加润滑性。由于氧化铝陶瓷材料硬度较高,需用更硬的研磨抛光砖材料对其作精加工。如SIC、B4C或金刚钻等。通常采用由粗到细磨料逐级磨削,表面抛光。一般可采用<1μm微米的Al2O3微粉或金刚钻膏进行研磨抛光。此外激光加工及超声波加工研磨及抛光的方法亦可采用。氧化铝陶瓷强化工艺为了增强氧化铝陶瓷,显著提高其力学强度,国外新推一种氧化铝陶瓷强化工艺。该工艺新颖简单,所采取的技术手段是在氧化铝陶瓷表面,采用电子射线真空镀膜、溅射真空镀膜或化学气相蒸镀方法,镀上一层硅化合物薄膜,在1200℃~1580℃的加热处理,使氧化铝陶瓷钢化。包头莫来石陶瓷直销氧化镁陶瓷可用于制作高温陶瓷反应器。
氮化硅陶瓷基板具备优异的散热能力和高可靠性,是SiCMOSFET模块的关键封装材料之一。日本京瓷采用活性金属焊接工艺制备出了氮化硅陶瓷覆铜基板,其耐温度循环(-40~125℃)达到5000次,可承载大于300A的电流,已被用于电动汽车、航空航天等领域。陶瓷继电器电控技术是衡量新能源节能电动汽车发展水平的重要标志,高压直流陶瓷继电器是电控系统的元件。高压直流真空继电器,在由金属与陶瓷封接的真空腔体中,陶瓷绝缘子滑动连接在动触点组件与推动杆之间,使动触点和静触点无论是在导通成断开的任何状态下都与继电器的导磁轭铁板、铁芯等零件构成的磁路系统保持良好的电绝缘,从而保证了继电器在切换直流高电压负载时的断弧能力,电弧是汽车自燃的主要原因。只有采用“无弧”接通分断的继电器产品,才是从根本上解决“自燃”问题的良方。
氮化硅、碳化硅等新型陶瓷还可用来制造发动机的叶片、切削刀具、机械密封件、轴承、火箭喷嘴、炉子管道等,具有非常普遍的用途。利用陶瓷对声、光、电、磁、热等物理性能所具有的特殊功能而制造的陶瓷材料称为功能陶瓷。功能陶瓷种类繁多,用途各异。例如,根据陶瓷电学性质的差异可制成导电陶瓷、半导体陶瓷、介电陶瓷、绝缘陶瓷等电子材料,用于制作电容器、电阻器、电子工业中的高温高频器件,变压器等电子零件。利用陶瓷的光学性能可制造固体激光材料、光导纤维、光储存材料及各种陶瓷传感器。此外,陶瓷还用作压电材料、磁性材料、基底材料等。总之,新型陶瓷材料几乎遍及现代科技的每一个领域,应用前景十分广阔。氧化镁陶瓷可用于制作高温陶瓷喷嘴。
氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝陶瓷是一种用途拍普遍的陶瓷,因为其优越的性能,在现代社会的应用已经越来越普遍,满足于日用和特殊性能的需要。氧化铝陶瓷的技术日渐的成熟,但有些指标还有待改善,这需要大家共同的研究。同时,关于氧化铝陶瓷的一些性能参数,也希望大家明确的提出,让研究者和厂家可以根据用户的要求来研究设计,不至于没有目的。氧化镁陶瓷可用于制作高温陶瓷瓶颈连接装置。淄博堇青石陶瓷棒厂家
氧化镁陶瓷可用于制作高温陶瓷瓶身连接设备。包头莫来石陶瓷直销
精密陶瓷氨化硅代替金属制造发动机的耐热部件,能大幅度提高工件温度,从而提高热效率,降低燃料消耗,节约能源,减少发动机的体积和重量,而且又代替了如镍、铬、钠等重要金属材料,所以,被人们认为是对发动机的一场。氮化硅可用多种方法制备,工业上普遍采用高纯硅与纯氮在1600K反应后获得:3Si+2N2 =Si3N4(条件1600K)也可用化学气相沉积法,使SiCl4和N2在H2气氛保护下反应,产物Si3N4积在石墨基体上,形成一层致密的Si3N4层。此法得到的氮化硅纯度较高,其反应如下:SiCl4+2N2+6H2→Si3N4+12HCl。包头莫来石陶瓷直销
机械设备的危害因素机械的危害有运动部件的危害、静止的危害和其他危害。⒈运动部件的危害这种危害主要来自机械设备的危险部位,包括:⑴旋转的部件,如旋转的轴、凸块和孔,旋转的连接器、芯轴,以及旋转的刀夹具、风扇叶、飞轮等。⑵旋转部件和成切线运动部件间的咬合处,如动力传输皮带和它的传动轮,链条和链轮等。⑶相...
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