可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

    储存在变压器中的磁场能量会产生过电压,显然在交流侧阻容吸收保护电路可以这种过电压,但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大,还不能完全消除。措施:能常采用压敏吸收进行保护。4.过电流保护一般加快速熔断器进行保护,实际上它不能保护可控硅,而是保护变压器线圈。5.电压、电流上升率的限制4.均流与晶闸管选择均流不好,很容易烧坏元件。为了解决均流问题,过去加均流电抗器,噪声很大,效果也不好,一只一只进行对比,拧螺丝松紧,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我们采用的办法是:用计算机程序软件进行动态参数筛选匹配、编号,装配时按其号码顺序装配,很间单。每一只元件上都刻有字,以便下更换时参考。这样能使均流系数可达到。淄博正高电气交通便利,地理位置优越。内蒙古大功率可控硅调压模块型号

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    可控硅模块的控制方法我们都知道,可控硅模块在电子电气行业中非常受欢迎,它是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,可控硅模块的的应用范围十分的广大。可控硅模块众所周知,任何的设备只有正确操作才能发挥它应有的作用,可控硅模块在使用的时候一定要进行有效的控制才能发挥良好的运行性能。下面,就让安仑力的小编来给您讲讲控制可控硅模块的有效方法。1可控硅模块控制方法:经过输入模块控制接口一个可调的电压或者电流信号,通过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行平滑调节,实现模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程,电压或者是电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法;控制信号采用0-5V,0-10V,4-20mA三大类十分常见的控制方式。2可控硅模块控制端口和控制线:模块控制端接口有5脚、9脚以及15脚三大类,对应5芯、9芯以及15芯的控制线,使用电压信号的产品**使用**脚端口,别的是空脚,使用电流信号的9脚是信号输入,控制线的屏蔽层铜线要焊接到直流电源地线上,连接的时候不能和别的端子短路,防止不可以正常工作或者是可能烧坏可控硅模块。广西单相可控硅调压模块功能诚挚的欢迎业界新朋老友走进淄博正高电气!

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    平板式晶闸管模块的优势以及特点来源:晶闸管模块是电子元器件中广为人知的,而我们常用的就是平板式晶闸管模块,那么它有哪些优势以及特点呢?下面正高电气来带您了解一下。平板式晶闸管模块的特点:“一触即发”。然而,如果所施加的阳极电极和所述控制极是反向电压,平板式晶闸管模块不能传导。控制极的作用是可以通过一个外加正向作用触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。那么,使导通的平板式晶闸管模块关断的方式是什么呢?使导通的晶闸管控制模块进行关断,可以通过断开阳极电源或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果平板式晶闸管模块阳极和阴极之间施加的是交流电压或脉动直流电压,则平板式晶闸管模块将在零电压下自行关闭。归类总结起来就是:1.用较小功率控制较大功率,功率方法倍数可达到的几十万倍2.控制系统灵敏,反应快,平板式晶闸管模块的导通和截止到了微秒级3.损耗小,平板式晶闸管模块本身的压降只有约1伏特4.体积小、重量轻以上就是平板式晶闸管模块的优势以及特点,希望通过这篇文章可以对您有所帮助。

    晶闸管智能模块在电机调速中的应用晶闸管智能模块是新一代电力调控产品,它将晶闸管智能模块和移相触发电路集成为一体,具有使用方便、稳定可靠、节材节能等优点,能降低用户系统的开发及使用成本,主要应用于交直流电动机的调速及稳定电源等领域。一、晶闸管智能模块按主电路形式可分为三相模块和交流模块,下面是晶闸管智能模块的工作特性。1.与单纯的晶闸管电路不同,该模块将相触发电路及控制系统与晶闸管智能模块集成于一体,使其成为一个完整的电力调控开环系统,外加一定的辅助电路可实现闭环控制。2.三相模块主电路交流输入电压范围较宽,且无相序及相数限制,突破了以往整流电路对触发电路要求同步及移相范围等约束,模块内部能自动协调工作。3.控制信号0-10V直流信号,在此范围内,可平滑调节输出电压,控制设为手动或计算机控制。4.可适用多种负载形式,如阻性、感性、容性负载。二、下面讲解在电动机调速系统中应用晶闸管智能模块应注意的问题基于晶闸管整流模块供电的直流电动机开环调速系统,直流电动机工作室需两路直流电源,一路给电枢回路供电,一路给励磁回路供电,采用该模块设计的几套实际系统经过一年多时间的运行,效果良好。淄博正高电气智造产品,制造品质是我们服务环境的决心。

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    可控硅保护电路如何设计可控硅的保护电路,大致可以分为两种情况:一种是在适当的地方安装保护器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路,检测设备的输出电压或输入电流,当输出电压或输入电流超过允许值时,借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态,从而过电压或过电流的数值。1.过流保护可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因,如整流可控硅损坏,触发电路或控制系统有故障等;其中整流桥可控硅损坏类较为严重,一般是由于可控硅因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力,它相当于整流桥臂发生长久性短路,使在另外两桥臂可控硅导通时,无法正常换流,因而产生线间短路引起过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流,这类情况时有发生,因为整流桥的负载实质是逆变桥,逆变电路换流失败,就相当于整流桥负载短路。另外,如整流变压器中心点接地,当逆变负载回路接触大地时,也会发生整流桥相对地短路。2.可控硅的过压保护可控硅设备在运行过程中,会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。淄博正高电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。广西单相可控硅调压模块功能

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    必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部。在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2.交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容。内蒙古大功率可控硅调压模块型号

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