本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。但是传统光刻胶剥离液虽然能剥离绝大部分光阻,但对于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),传统剥离液亲水性不够,水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留。技术实现要素:本发明的目的是提供一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;环胺与链胺:3-7%;缓蚀剂:%%;润湿剂:%%。的技术方案中,所述的酰胺为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种。的技术方案中,所述的醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种。的技术方案中。ITO剥离液的配方是什么?苏州配方剥离液厂家现货

具体实施方式现有技术中剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质,而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收,其大量的使用但不能够有效地回收,或者回收后需要通过大量的时间分析其含量以及花大量时间进行再生处理,影响了剥离液废液的利用率。本发明对于已知的剥离液的含量以及比例有预先的了解,通过预先制定添加剂的方法,将添加剂以及某些原材料加入后重新制备剥离液新液。本发明中对于回收的剥离液废液的进一步处理加工,是采用现有技术中加压、蒸馏等方式,可以是采用阶段性变压精馏塔进行加压、蒸馏处理。表1:已知的剥离液新液的组分:表二:添加剂的组分组分比例:纯化液体的组分表四:制备剥离液新液在对纯化液体进行加工处理,重新制备剥离液新液的过程中,需要预先制备添加剂,该添加剂中不含有酰胺化合物,而通过表四中可以得出,制备过程中在纯化液体中加入添加剂以及nmf或bdg重新得出与表1组分相同的剥离液新液,该剥离液新液能够达到表1中剥离液新液相同的成分以及相同或大致相同的技术效果。对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的。深圳BOE蚀刻液剥离液订做价格博洋剥离液供应厂商-提供微电子领域个性化解决方案!

添加剂中含有醇醚化合物、胺化合物、缓蚀剂以及润湿剂;s3:将步骤s1的剥离液废液与添加剂混合,重新制备剥离液新液,制备过程中加入酰胺化合物或醇醚化合物。光刻胶剥离液为纯有机溶剂体系,废液可通过蒸馏回收80-95%有效物,得出纯化液体,而在上述制备方式中,纯化液体所含的组分与添加剂所含的组分之间是具有相重复的,可以认为,添加剂是根据已知的剥离液新液的组分进行配制的,添加剂可以是对纯化液体与剥离液新液之间的组分的差别而进行的添加、补充,使得纯化液体和添加剂混合后,能够具有与剥离液新液相同的组分。那么,可以知道,在预先知道剥离液新液的组分的基础上,可以通过预先配制含有剥离液新液中的某些组分的添加剂,然后在制备回收的剥离液废液得出纯化液体时,可以将添加剂加入纯化液体中,再进行质量分数的调节。纯化液体是将剥离液废液进行加压、蒸馏,去除剥离液废液中的非剥离液新液的组分的物质,然后得出的纯化液体,纯化液体中所含的组分物质,都是剥离液新液所含有的组分物质。进一步技术方案中,所述的步骤1中得出的纯化液体中含有的酰胺化合物的质量分为:45%-60%;含有的醇醚化合物的质量分为:35%-50%。
按照玻璃基板传送方向从当前腔室101开始逐级由各腔室10向玻璃基板供给剥离液以进行剥离制程。剥离液从当前腔室101进入相应的存储箱20,在剥离液的水平面超过预设高度后流入过滤器30,再经过过滤器30的过滤将过滤后的剥离液传送至下一级腔室102内。其中,薄膜碎屑70一般为金属碎屑或ito碎屑。其中,如图2所示,图2为本申请实施例提供的剥离液机台100的第二种结构示意图。阀门开关60设置在管道40及第二管道50上。在过滤器30被阻塞时,关闭位于过滤器30两侧的管道40及第二管道50上的阀门开关60,可以保证当前级腔室101对应的存储箱20内剥离液不会流出,同时下一级腔室102内的剥离液也不会流出。在一些实施例中,请参阅图3,图3为本申请实施例提供的剥离液机台100的第三种结构示意图。过滤器30包括多个并列排布的子过滤器301,所述管道40包括多个子管道401,每一所述子管道401与一子过滤器301连通,且所述多个子管道401与当前级腔室101对应的存储箱20连通。在一些实施例中,第二管道50包括公共子管道501及多个第二子管道502,每一所述第二子管道502与一子过滤器301连通,每一所述第二子管道502与所述公共子管道501连通,所述公共子管道501与所述下一级腔室102连通。其中。剥离液的正确使用方式;

所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,所述道包括多个子管道,每一所述子管道与一子过滤器连通,且所述多个子管道与当前级腔室对应的存储箱连通。在一些实施例中,所述第二管道包括公共子管道及多个第二子管道,每一所述第二子管道与一子过滤器连通,每一所述第二子管道与所述公共子管道连通,所述公共子管道与所述下一级腔室连通。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述子管道上。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述第二子管道上。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些实施例中,所述第二管道包括多个第三子管道,每一所述第三子管道与一子过滤器连通,且每一所述第三子管道与所述下一级腔室连通。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述第三子管道上。本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,包括:将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室。剥离液的大概费用大概是多少?杭州中芯国际用剥离液哪里买
剥离液的配方是什么?苏州配方剥离液厂家现货
可选择的,旋涂光刻胶厚度范围为1000埃~10000埃。s3,执行离子注入:可选择的,离子注入剂量范围为1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;如背景技术中所述,经过高剂量或大分子量的源种注入后,会在光刻胶的外层形成一层硬壳即为主要光刻胶层,主要光刻胶层包裹在第二光刻胶层外。使氮氢混合气体与光刻胶反应生成含氨挥发性化合物气体,反应速率平稳,等离子体氮氢混合气体与主要光刻胶层、第二光刻胶层的反应速率相等。等离子体氮氢混合气体先剥离去除主要光刻胶层,参考图8所示。再逐步剥离去除第二光刻胶层,参考图9和图10所示。可选的,等离子刻蚀气体是氮氢混合气体,氢氮混合比例范围为4:96~30:70。s5,对衬底表面进行清洗。可选择的,对硅片执行单片排序清洗。单片清洗时,清洗液喷淋到硅片正面,单片清洗工艺结束后残液被回收,下一面硅片清洗时再重新喷淋清洗液,清洗工艺结束后残液再被回收,如此重复。现有的多片硅片同时放置在一个清洗槽里清洗的批处理清洗工艺,在清洗过程中同批次不同硅片的反应残余物可能会污染其他硅片,或者上一批次硅片留在清洗槽的反应残余物可能会污染下一批次硅片。相比而言。苏州配方剥离液厂家现货