相关缩写：dToF：direct Time-of-Flight直接测量光的飞行时间；iToF：indirect Time-of-Flight通过测量相位偏移来间接测量光的飞行时间；PLD：脉冲激光二极管，一种激光雷达发光元件；APD：雪崩光二极管，一种激光雷达感光元件；SPAD：Single Photon Avalanche Diode单光子雪崩二极管，一种激光雷达感光元件；SiPM：Silicon photomultiplier硅光电倍增管，一种激光雷达感光元件；CMOS：Compound metal Oxided Semiconductor 复合金属氧化物半导体，一种摄像头感光元件；CCD：Charge Coupled Device电荷耦合器件，一种摄像头感光元件；CIS：CMOS image sensor互补金属氧化物半导体图像传感器；OPA：Optical Phased Arrays 光学相控阵；FPA：Focal Plane Array焦平面阵列；WD：Wavelength Disperion波长色散；MEMS：Micro-Electro-Mechanical System 微机电系统。远探测 70 米 @80% 反射率，Mid - 360 无惧室外强光，性能稳定。海南激光雷达
有几个原因：我们这里说的激光雷达，是指 TOF 激光雷达，TOF 测距，靠的是 TDC 电路提供计时，用光速乘以单向时间得到距离，但限于成本，TDC 一般由 FPGA 的进位链实现，本质上是对一个低频的晶振信号做差值，实现高频的计数。所以，测距的精度，强烈依赖于这个晶振的精度。而晶振随着时间的推移，存在累计误差；距离越远，接收信号越弱，雷达自身的寻峰算法越难以定位到较佳接收时刻，这也造成了精度的劣化；而由于激光雷达检测障碍物的有效距离和较小垂直分辨率有关系，也就是说角度分辨率越小，则检测的效果越好。如果两个激光光束之间的角度为 0.4°，那么当探测距离为 200m 的时候，两个激光光束之间的距离为200m*tan0.4°≈1.4m。也就是说在 200m 之后，只能检测到高于 1.4m 的障碍物了。如果需要知道障碍物的类型，那么需要采用的点数就需要更多，距离越远，激光雷达采样的点数就越少，可以很直接的知道，距离越远，点数越少，就越难以识别准确的障碍物类型。浙江多线激光雷达规格激光雷达的精密设计使其能在狭小空间内准确测量。
配准 registration，ICP 算法较早由 Chen and Medioni，and Besl and McKay 提出。其算法本质上是基于较小二乘法的较优配准方法。该算法重复进行选择对应关系点对，计算较优刚体变换这一过程，直到根据点对的欧氏距离定义的损失函数满足正确配准的收敛精度要求。ICP 是一个普遍使用的配准算法，主要目的就是找到旋转和平移参数，将两个不同坐标系下的点云，以其中一个点云坐标系为全局坐标系，另一个点云经过旋转和平移后两组点云重合部分完全重叠。
而如较新的 Livox Horizon 激光雷达，也包含了多回波信息及噪点信息，格式如下：每个标记信息由1字节组成：该字节中 bit7 和 bit6 为头一组，bit5 和 bit4 为第二组，bit3 和 bit2 为第三组，bit1 和 bit0 为第四组。第二组表示的是该采样点的回波次序。由于 Livox Horizon 采用同轴光路，即使外部无被测物体，其内部的光学系统也会产生一个回波，该回波记为第 0 个回波。随后，若激光出射方向存在可被探测的物体，则较先返回系统的激光回波记为第 1 个回波，随后为第 2 个回波，以此类推。如果被探测物体距离过近（例如 1.5m），第 1 个回波将会融合到第 0 个回波里,该回波记为第 0 个回波。全新 Mid - 360，为移动机器人导航避障等带来全新感知方案。
在体积限制下，Flash激光雷达的功率密度不能很高。因此，Flash激光雷达目前的问题是，由于功率密度的限制，无法考虑三个参数：视场角、检测距离和分辨率，即如果检测距离较远，则需要放弃视场角或分辨率；如果需要高分辨率，则需要放弃视场角或检测距离。Flash激光雷达采用面光源泛光成像，其发射的光线会散布在整个视场内，因此不需要折射就可以覆盖FOV区域了，难点在于如何提升其功率密度从而提升探测精度和距离，目前通常使用VCSEL光源组成二维矩阵形成面光源。建筑行业内激光雷达快速扫描建模，辅助设计与施工。浙江汽车激光雷达供应
激光雷达在农业领域用于监测作物生长情况。海南激光雷达
激光光源，由于激光器发射的光线需要投射至整个FOV平面区域内，除了面光源可以直接发射整面光线外，点光源则需要做二维扫描覆盖整个FOV区域，线光源需要做一维扫描覆盖整个FOV区域。其中点光源根据光源发射的形式又可以分为EEL（Edge-Emitting Laser边发射激光器）和VCSEL（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser垂直腔面发射激光器）两种，二者区别在于EEL激光平行于衬底表面发出（如图1），VCSEL激光垂直于衬底表面发出（如图2）。其中VCSEL式易于进行芯片式阵列布置，通常使用此类光源进行阵列式布置形成线光源（一维阵列）或面光源（二维阵列），VCSEL光源剖面图与二维阵列光源芯片示意图如下海南激光雷达
