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DDR3测试基本参数
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双击PCB模块打开其Property窗口,切换到LayoutExtraction选项卡,在FileName处浏览选择备好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里选择PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator两种模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信号耦合,考虑非理想电源地的S参数模型;而使用SPEED2000Generator可以提取理想电源地情况下的非耦合信号的SPICE模型。前者模型提取时间长,但模型细节完整,适合终的仿真验证;后者模型提取快,SPICE模型仿真收敛性好,比较适合设计前期的快速仿真迭代。是否可以使用多个软件工具来执行DDR3一致性测试?安徽DDR3测试方案商

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DDR3拓扑结构规划:Fly・by拓扑还是T拓扑

DDR1/2控制命令等信号,均采用T拓扑结构。到了 DDR3,由于信号速率提升,当负 载较多如多于4个负载时,T拓扑信号质量较差,因此DDR3的控制命令和时钟信号均釆用 F拓扑。下面是在某项目中通过前仿真比较2片负载和4片负载时,T拓扑和Fly-by拓 扑对信号质量的影响,仿真驱动芯片为Altera芯片,IBIS文件 为颗粒为Micron颗粒,IBIS模型文件为。

分别标示了两种拓扑下的仿真波形和眼图,可以看到2片负载 时,Fly-by拓扑对DDR3控制和命令信号的改善作用不是特别明显,因此在2片负载时很多 设计人员还是习惯使用T拓扑结构。 安徽DDR3测试方案商DDR3一致性测试是否包括高负载或长时间运行测试?

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重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻,其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置, 

(12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮,在界面中设置电阻模型后,单击OK按钮赋上电阻模型。

同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。

上拉电源或下拉到地的电压值可以在菜单中选择LogicIdentify DC Nets..来设置。

浏览选择控制器的IBIS模型,切换到Bus Definition选项卡,单击Add按钮添加一 组新的Buso选中新加的一行Bus使其高亮,将鼠标移动到Signal Names下方高亮处,单击 出现的字母E,打开Signal列表。勾选组数据和DM信号,单击0K按钮确认。

同样,在Timing Ref下方高亮处,单击出现的字母E打开TimingRef列表。在这个列表 窗口左侧,用鼠标左键点选DQS差分线的正端,用鼠标右键点选负端,单击中间的“>>”按 钮将选中信号加入TimingRefs,单击OK按钮确认。

很多其他工具都忽略选通Strobe信号和时钟Clock信号之间的时序分析功能,而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在内的完整的各类信号间的时序关系。如果要仿真分析选通信号Strobe和时钟信号Clock之间的时序关系,则可以设置与Strobe对应的时钟信号。在Clock 下方的高亮处,单击出现的字母E打开Clock列表。跟选择与Strobe -样的操作即可选定时 钟信号。 DDR3一致性测试是否会提前寿命内存模块?

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DDR 规范解读

为了读者能够更好地理解 DDR 系统设计过程,以及将实际的设计需求和 DDR 规范中的主要性能指标相结合,我们以一个实际的设计分析实例来说明,如何在一个 DDR 系统设计中,解读并使用 DDR 规范中的参数,应用到实际的系统设计中。是某项目中,对 DDR 系统的功能模块细化框图。在这个系统中,对 DDR 的设计需求如下。

DDR 模块功能框图· 整个 DDR 功能模块由四个 512MB 的 DDR 芯片组成,选用 Micron 的 DDR 存储芯片 MT46V64M8BN-75。每个 DDR 芯片是 8 位数据宽度,构成 32 位宽的 2GBDDR 存储单元,地址空间为 Add<13..0>,分四个 Bank,寻址信号为 BA<1..0>。


如果DDR3一致性测试失败,是否需要更换整组内存模块?安徽DDR3测试方案商

如何确保DDR3内存模块的兼容性进行一致性测试?安徽DDR3测试方案商

使用了一个 DDR 的设计实例,来讲解如何规划并设计一个 DDR 存储系统,包括从系统性能分析,资料准备和整理,仿真模型的验证和使用,布局布线约束规则的生成和复用,一直到的 PCB 布线完成,一整套设计方法和流程。其目的是帮助读者掌握 DDR 系统的设计思路和方法。随着技术的发展,DDR 技术本身也有了很大的改变,DDR 和 DDR2 基本上已经被市场淘汰,而 DDR3 是目前存储系统的主流技术。

并且,随着设计水平的提高和 DDR 技术的普及,大多数工程师都已经对如何设计一个 DDR 系统不再陌生,基本上按照通用的 DDR 设计规范或者参考案例,在系统不是很复杂的情况下,都能够一次成功设计出可以「运行」的 DDR 系统,DDR 系统的布线不再是障碍。但是,随着 DDR3 通信速率的大幅度提升,又给 DDR3 的设计者带来了另外一个难题,那就是系统时序不稳定。因此,基于这样的现状,在本书的这个章节中,着重介绍 DDR 系统体系的发展变化,以及 DDR3 系统的仿真技术,也就是说,在布线不再是 DDR3 系统设计难题的情况下,如何通过布线后仿真,验证并保证 DDR3 系统的稳定性是更加值得关注的问题。 安徽DDR3测试方案商

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单击Check Stackup,设置PCB板的叠层信息。比如每层的厚度(Thickness)、介 电常数(Permittivity (Er))及介质损耗(LossTangent)。 单击 Enable Trace Check Mode,确保 Enable Trace Check Mode 被勾选。在走线检查 流程中,可以选择检查所有信号网络、部分信号网络或者网络组(Net Gr。叩s)。可以通过 Prepare Nets步骤来选择需要检查的网络。本例釆用的是检查网络组。检查网络组会生成较详 细的阻抗和耦合检查结果。单击Optional: Setup Net Groups,出现Set...

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