测试服务DDR3测试调试

有其特殊含义的，也是DDR体系结构的具体体现。而遗憾的是，在笔者接触过的很多高速电路设计人员中，很多人还不能够说清楚这两个图的含义。在数据写入(Write)时序图中，所有信号都是DDR控制器输出的，而DQS和DQ信号相差90°相位，因此DDR芯片才能够在DQS信号的控制下，对DQ和DM信号进行双沿采样:而在数据读出(Read)时序图中，所有信号是DDR芯片输出的，并且DQ和DQS信号是同步的，都是和时钟沿对齐的!这时候为了要实现对DQ信号的双沿采样，DDR控制器就需要自己去调整DQS和DQ信号之间的相位延时!!!这也就是DDR系统中比较难以实现的地方。DDR规范这样做的原因很简单，是要把逻辑设计的复杂性留在控制器一端，从而使得外设(DDR存储心片)的设计变得简单而廉价。因此，对于DDR系统设计而言，信号完整性仿真和分析的大部分工作，实质上就是要保证这两个时序图的正确性。是否可以通过重新插拔DDR3内存模块解决一致性问题？测试服务DDR3测试调试

DDR3信号质量问题及仿真解决案例随着DDR信号速率的升高，信号电平降低，信号质量问题也会变得突出。比如DDR1的数据信号通常用在源端加上匹配电阻来改善波形质量；DDR2/3/4会将外部电阻变成内部ODT；对于多负载的控制命令信号，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4则将采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驱动能力的选择等方面，可以通过仿真 来得到正确驱动和端接，使DDR工作时信号质量改善，从而增大DDRI作时序裕量。测量DDR3测试多端口矩阵测试DDR3一致性测试和DDR3速度测试之间有什么区别？

至此，DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮，在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释，连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，则也可以选择Updateo

设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。

On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大，特别是On-Die Capacitor,需要根据 实际情况正确设定。因为实际的IBIS模型和模板自带的IBIS模型管脚不同，所以退出控制器 设置窗口后，Controller和PCB模块间的连接线会显示红叉，表明这两个模块间连接有问题， 暂时不管，等所有模型设置完成后再重新连接。

DDR 规范的时序要求

在明确了规范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我们还应该了解规范中对于信号的时序要求。这是我们所设计的 DDR 系统能够正常工作的基本条件。

在规范文件中，有很多时序图，笔者大致计算了一下，有 40 个左右。作为高速电路设计的工程师，我们不可能也没有时间去做全部的仿真波形来和规范的要求一一对比验证，那么哪些时序图才是我们关注的重点？事实上，在所有的这些时序图中，作为 SI 工程师，我们需要关注的只有两个，那就是规范文件的第 69 页，关于数据读出和写入两个基本的时序图（注意，这里的读出和写入是从 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度来讲的）。为方便读者阅读，笔者把这两个时序图拼在了一起，而其他的时序图的实现都是以这两个图为基础的。在板级系统设计中，只要满足了这两个时序图的质量，其他的时序关系要求都是对这两个时序图逻辑功能的扩展，应该是 DDR 控制器的逻辑设计人员所需要考虑的事情。 DDR3一致性测试期间会测试哪些方面？

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作电压为2.5V；时钟信号频率为100〜200MHz； 数据信号速率为200〜400 Mbps,通过单端选通信号双边沿釆样；地址/命令/控制信号速率为 100〜200Mbps,通过时钟信号上升沿采样；信号走线都使用树形拓扑，没有ODT功能。

DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作电压为1.8V；时钟信号频率为200〜 400MHz；数据信号速率为400〜800Mbps,在低速率下可选择使用单端选通信号，但在高速 率时需使用差分选通信号以保证釆样的准确性；地址/命令/控制信号在每个时钟上升沿釆样的 情况下(1T模式)速率为200〜400Mbps,在每个间隔时钟上升沿釆样的情况下(2T模式) 速率减半；信号走线也都使用树形拓扑，数据和选通信号有ODT功能。 DDR3一致性测试期间如何设置测试环境？测量DDR3测试多端口矩阵测试

DDR3内存的一致性测试是否会降低内存模块的寿命？测试服务DDR3测试调试

为了改善地址信号多负载多层级树形拓扑造成的信号完整性问题，DDR3/4的地址、控制、命令和时钟信号釆用了Fly-by的拓扑结构种优化了负载桩线的菊花链拓扑。另外，在主板加内存条的系统设计中，DDR2的地址命令和控制信号一般需要在主板上加匹配电阻，而DDR3则将终端匹配电阻设计在内存条上，在主板上不需要额外电阻，这样可以方便主板布线，也可以使匹配电阻更靠近接收端。为了解决使用Fly-by拓扑岀现的时钟信号和选通信号“等长”问题,DDR3/4采用了WriteLeveling技术进行时序补偿，这在一定程度上降低了布线难度，特别是弱化了字节间的等长要求。不同于以往DDRx使用的SSTL电平接口，新一代DDR4釆用了POD电平接口，它能够有效降低单位比特功耗。DDR4内存也不再使用SlewRateDerating技术，降低了传统时序计算的复杂度。测试服务DDR3测试调试