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电解抛光腐蚀原理，关于电解抛光原理的争论很多，被公认的主要为薄膜理论。薄膜理论解释的电解抛光过程是:电解抛光时，靠近试样阳极表面的电解液，在试样上随着表面的凸凹不平形成了一层薄厚不均匀的黏性薄膜，这种薄膜在工件的凸起处较薄，凹处较厚，此薄膜具有很高的电阻，因凸起处薄膜薄而电阻小，电流密度高而溶解快;凹处薄膜厚而电阻大，电流密度低而溶解慢，由于溶解速度的不同，凹凸不断变化，粗糙表面逐渐被平整，然后形成光亮平滑的抛光面。电解抛光过程的关键是形成稳定的薄膜，而薄膜的稳定与抛光材料的性质、电解液的种类、抛光时的电压大小和电流密度都密切相关。根据实验得出的电压和电流的关系曲线称为电解抛光特性曲线，根据它可以决定合适的电解抛光规范。晶间腐蚀，可选择漏液传感器检测，有漏液停机报警。四川晶间腐蚀操作简单

电解抛光腐蚀缺点，电解抛光由于没有机械力的作用，所以没有变形层产生，也没有金属扰动层，能够显示试样材质的真实组织。由于抛光时试样是浸泡在电解液中，电解液对试样有浸蚀作用，有些试样抛光后就可直接观察组织，不必再进行组织显示。电解抛光特别适合于容易产生塑性变形而引起加工硬化的金属材料和硬度较低的单相合金，比如高锰钢、有色金属、易剥落硬质点的合金和奥氏体不锈钢等。尽管电解抛光有如上优点，但它仍不能完全代替机械抛光，因为电解抛光对金属材料化学成分的不均匀性、显微偏析特别敏感，所以具有偏析的金属材料基本上不能进行电解抛光。辽宁阳极覆膜腐蚀公司晶间腐蚀，可判定材料的化学成分、热处理和加工工艺是否合理。

晶间腐蚀，贫化理论：对于奥氏体不锈钢等合金，在一定条件下，晶界会析出第二相，导致晶界附近某种成分出现贫乏化。以奥氏体不锈钢为例，具体过程如下：碳化物析出：当温度升高时，碳在不锈钢晶粒内部的扩散速度大于铬的扩散速度。室温时碳在奥氏体中的溶解度很小，而一般奥氏体不锈钢中的含碳量均超过此值，多余的碳会不断地向奥氏体晶粒边界扩散，并和铬化合，在晶间形成碳化铬的化合物，如等。贫铬区形成：铬沿晶界扩散的速度比在晶粒内扩散速度快，但由于碳化铬形成速度较快，内部的铬来不及向晶界扩散，所以在晶间所形成的碳化铬所需的铬主要来自晶界附近，结果使晶界附近的含铬量大为减少。当晶界的铬的质量分数低到小于时，就形成 “贫铬区”。

晶间腐蚀，晶界能量较高：晶界是不同晶粒之间的交界，由于晶粒有着不同的位向，交界处原子的排列必须从一种位向逐步过渡到另一种位向，是 “面型” 不完整的结构缺陷。晶界上原子的平均能量因晶格畸变变大而高于晶粒内部原子的平均能量，处于不稳定状态，在腐蚀介质中的腐蚀速度比晶粒本体的腐蚀速度快。电化学不均匀性：晶粒和晶界的物理化学状态不同，如平衡电位不同，极化性能（包括阳极和阴极的）不同，在适宜的介质中形成腐蚀电池，晶界为阳极，晶粒为阴极，晶界产生选择性溶解。低倍加热腐蚀温度控制精度：误差±1℃。

晶间腐蚀常用的试验方法：硫酸-硫酸铁法适用于检验镍基合金、不锈钢因碳化物析出引起的晶间腐蚀。奥氏体不锈钢在此溶液中的腐蚀电位处于钝化区。试验结果采用腐蚀率和固溶试样腐蚀率比较来评定；草酸浸蚀法主要用作检验奥氏体不锈钢晶间腐蚀的筛选试验。电解浸蚀时腐蚀电位处于过钝化区。浸蚀后用金相显微镜观察浸蚀组织分类评定；盐酸法适用于检验某些高钼镍基合金的晶间腐蚀。试验结果以腐蚀率评定；氯化钠-过氧化氢法适用于检验含铜铝合金的晶间腐蚀。试488验结果采用金相显微镜测量晶间腐蚀深度评定；氯化钠-盐酸法适用于检验铝镁合金的晶间腐蚀。试验结果的评定同上；电化学动电位再活化法(EPR法)。在特定溶液中将试样钝化后再活化，测定动电位扫描极化曲线，以再活化电量评定晶间腐蚀敏感性。此法具有快速的特点。晶间腐蚀，有冷凝水传感器检测，无水停机报警。山东阳极覆膜腐蚀按钮操作

电解抛光腐蚀，既可用于金相试样的抛光，也可用于金相试样的腐蚀。四川晶间腐蚀操作简单

电解抛光腐蚀，电源前面板设有“设定电流”、“设定电压”、“工作”三个状态的“功能选择”开关a.“设定电压”：设定输出电压到需要值（此时未接通负载）先将“电流调节”顺时针调到最大值，然后调节“电压调节”至需要的电压值；“设定电流”：设定输出电流到需要值（此时未接通负载）；将“电压调节”顺时针调到最大值；将“电流调节”逆时针调到接近零值；将“功能选择”开关拨至“设定电流”位置，即可调节“电流调节”，使电流达到所需要的电流值。四川晶间腐蚀操作简单