EVG ® 510晶圆键合机系统
用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容
特色
技术数据
EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。 EVG键合机顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。江西键合机推荐产品

EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准,用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米
厚度:0.1-10毫米
**/高堆叠高度:10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准:3个卡带站
可选:**多5个站 江西键合机推荐产品EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。

键合机特征
高真空,对准,共价键合
在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理
原位亚微米面对面对准精度
高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除
优异的表面性能
导电键合
室温过程
多种材料组合,包括金属(铝)
无应力键合界面
高键合强度
用于HVM和R&D的模块化系统
多达六个模块的灵活配置
基板尺寸**/大为200毫米
完全自动化
技术数据
真空度
处理:<7E-8 mbar
处理:<5E-8毫巴
集群配置
处理模块:**小 3个,**/大 6个
加载:手动,卡带,EFEM
可选的过程模块:
键合模块
ComBond ®激/活模块(CAM)
烘烤模块
真空对准模块(VAM)
晶圆直径
高达200毫米
EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站,实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室,满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统,用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局,适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在**小的占地面积上,同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术,前/列的GEMINI大批量生产系统,并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息,请参/阅我们的GEMINI手册。 同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。
主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。浙江键合机推荐产品
EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。江西键合机推荐产品
EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置,用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)
可升级用于阳极键合
开室设计,易于转换和维护
生产兼容
高通量,具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计,可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积:0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准:0.1毫巴
可选:1E-5 mbar
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