HERCULES 光刻轨道系统技术数据：
对准方式：
上侧对准：≤±0.5 µm；
底侧对准：≤±1,0 µm；
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材
先进的对准功能：
手动对准；
自动对准；
动态对准。
对准偏移校正：
自动交叉校正/手动交叉校正；
大间隙对准。
工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
曝光源：汞光源/紫外线LED光源
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
楔形补偿：全自动软件控制；非接触式
曝光选项：
间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光
系统控制
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
实时远程访问，诊断和故障排除 我们用持续的技术和市场领导地位证明了自己的实力，包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的****的经验。江西光刻机化合物半导体应用
EVG6200 NT特征：
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
系统设计支持光刻工艺的多功能性
在第/一次光刻模式下的吞吐量高达180 WPH，在自动对准模式下的吞吐量高达140 WPH
易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短
带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列
自动原点功能，用于对准键的精确居中
具有实时偏移校正功能的动态对准功能
支持**/新的UV-LED技术
返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统
自动化系统上的手动基板装载功能
可以从半自动版本升级到全自动版本
**小化系统占地面积和设施要求
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
先进的软件功能以及研发与全/面生产之间的兼容性
便捷处理和转换重组
远程技术支持和SECS / GEM兼容性
台式或带防震花岗岩台的单机版 江西EVG620 NT光刻机EVG光刻机设备，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。
EVG ® 620 NT 掩模对准系统（半自动/自动）
特色：EVG ® 620 NT提供国家的本领域掩模对准技术在**小化的占位面积，支持高达150毫米晶圆尺寸。
技术数据：EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著称，在**小的占位面积上结合了先进的对准功能和**/优化的总体拥有成本，提供了**/先进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen 2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件，**短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持，使它成为任何制造环境的理想解决方案。
EVG620 NT技术数据：
曝光源：
汞光源/紫外线LED光源
先进的对准功能：
手动对准/原位对准验证
自动对准
动态对准/自动边缘对准
对准偏移校正算法
EVG620 NT产量:
全自动：第/一批生产量：每小时180片
全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆
晶圆直径（基板尺寸）：高达150毫米
对准方式：
上侧对准：≤±0.5 µm
底侧对准：≤±1,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±3.0 µm
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
楔形补偿：全自动软件控制
曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光
系统控制：
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
实时远程访问，诊断和故障排除
工业自动化功能：
盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
纳米压印光刻技术：SmartNIL ® HERCULES光刻机系统：全自动光刻跟/踪系统，模块化设计，用于掩模和曝光，集成了预处理和后处理能力。
EVG的光刻机技术：EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能，接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆，可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中，并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。
EVG不断展望未来的市场趋势，因此提供了针对特定应用的解决方案，尤其是在光学3D传感和光子学市场中，其****的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广/泛优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案成功的重要因素。 EVG610 掩模对准系统，支持的晶圆尺寸：100 mm / 150 mm / 200 mm。安徽光刻机化合物半导体应用
HERCULES可以配置成处理弯曲，翘曲，变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。江西光刻机化合物半导体应用
EVG键合机掩模对准系列产品，使用**/先进的工程技术。
用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度，掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙，以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是**重要的标准。此外，整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念，使我们能够跳出思维框架，创造更先进的系统。 江西光刻机化合物半导体应用
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