光电器件下一代光传送网的基本特征是超大容量,从各种复用技术的发展状况看,密集波分复用(DWDM)被认为是扩大网络容量和提高其灵活性的***途径。采用DWDM可以使容量迅速地扩大数十倍至数百倍。由于市场驱动和技术突破的影响,波分复用系统发展极为迅速。因此各种新研制的光器件也都或多或少与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率,一方面提高每个通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,商用系统大多为2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系统正在实用化,预计到2004年开始商业应用,一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验智能终端:手机、平板通过传感器、显示屏、集成电路实现人机交互。扬中进口电子元器件量大从优

元件属于不需要能源的器件。它包括:电阻、电容、电感。(又称为被动元件Passive Components)元件分为:1、电路类元件:二极管,电阻器等。2、连接类元件:连接器,插座,连接电缆,印刷电路板(PCB)等。二、器件:工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件。器件分为:1、主动器件,它的主要特点是:(1)自身消耗电能,(2)需要外界电源。2、分立器件,分为(1)双极性晶体三极管,(2)场效应晶体管,(3)可控硅,(4)半导体电阻、电容。丹徒区新型电子元器件图片工业自动化:PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器通过传感器与数字隔离器实现设备控制。

(2)、估测温度系数αt 先在室温t1下测得电阻值Rt1,再用电烙铁作热源,靠近热敏电阻Rt,测出电阻值RT2,同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算。7 压敏电阻的检测。用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻,均为无穷大,否则,说明漏电流大。若所测电阻很小,说明压敏电阻已损坏,不能使用。8 光敏电阻的检测。A 用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住,此时万用表的指针基本保持不动,阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零,说明光敏电阻已烧穿损坏,不能再继续使用。
A 用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端,其读数应为电位器的标称阻值,如万用表的指针不动或阻值相差很多,则表明该电位器已损坏。B 检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2”(或“2”、“3”)两端,将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置,这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄,电阻值应逐渐增大,表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置“3”时,阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象,说明活动触点有接触不良的故障。新能源:光伏逆变器、储能系统利用电容器、电感器、IGBT模块实现电能转换与稳定输出。

C 对于0.01μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。2 电解电容器的检测A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。B 将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。集成电路:模拟集成电路、数字集成电路、混合信号集成电路。镇江进口电子元器件供应商家
半导体器件:二极管、三极管、场效应晶体管(MOSFET)、可控硅。扬中进口电子元器件量大从优
A 检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。B 检测10pF~0.01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。扬中进口电子元器件量大从优
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