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在功率器件封装中，即使经过多次热循环和机械振动，TS-9853G依然能够保持良好的连接性能，减少因EBO问题导致的产品失效，为功率器件的稳定运行提供了有力保障。在导热性能方面，TS-9853G的导热率达到130W/mK，处于半烧结银胶的较高水平。这使得它在需要高效散热的应用中能够发挥出色的作用，能够快速将电子元件产生的热量传导出去，降低芯片温度，提高电子设备的性能和稳定性。它在固化过程中能够形成更加均匀和稳定的连接结构，增强了银胶与电子元件之间的结合力，从而提高了产品的长期可靠性。高导热银胶，守护电子设备安全。半导体TANAKA田中厂家电话

半烧结银胶的半烧结原理是在加热固化过程中，有机树脂首先发生交联反应，形成一定的网络结构，将银粉初步固定。随着温度的升高，银粉表面的原子开始获得足够的能量，发生扩散和迁移，银粉之间逐渐形成烧结颈，进而实现部分烧结。这种部分烧结的结构既保留了银粉的高导电性和高导热性，又利用了有机树脂的粘结性和柔韧性，使其在电子封装中能够适应不同的应用场景。在汽车电子的功率模块中，半烧结银胶能够有效地将芯片产生的热量导出，同时在车辆行驶过程中的振动和温度变化等复杂环境下，保持良好的连接性能 。半导体TANAKA田中厂家电话TS - 985A - G6DG，烧结银胶导热王。

烧结银胶是指通过高温烧结工艺，使银粉之间发生原子扩散和融合，形成致密的银连接层的材料。根据烧结工艺的不同，可分为无压烧结银胶和有压烧结银胶。无压烧结银胶在烧结过程中无需施加外部压力，工艺简单，成本较低，适用于大面积的电子封装，如 LED 照明灯具的基板与芯片连接。有压烧结银胶在烧结时需要施加一定的压力，能够使银粉之间的结合更加紧密，提高烧结体的致密度和性能，常用于对连接强度和性能要求极高的航空航天电子设备封装，如卫星通信模块的芯片封装 。

对于不同型号的银胶，其导热率对电子设备散热的影响也各不相同。以高导热银胶、半烧结银胶和烧结银胶为例，高导热银胶的导热率一般在 10W - 80W/mK 之间，适用于一般的电子设备散热需求，如普通的集成电路封装。半烧结银胶的导热率通常在 80W - 200W/mK 之间，在一些对散热要求较高，但又需要兼顾工艺和成本的应用中表现出色，如汽车电子的功率模块。烧结银胶的导热率则可达到 200W/mK 以上，主要应用于对散热性能要求极高的品牌电子设备，如航空航天领域的电子器件。TS - 9853G 银胶，符合欧盟 PFAS 要求。

TS - 9853G 还对 EBO（Early Bond Open，早期键合开路）进行了优化。在电子封装过程中，EBO 问题可能会导致电子元件之间的连接失效，影响产品的可靠性。TS - 9853G 通过特殊的配方设计和工艺优化，有效降低了 EBO 的发生概率。它在固化过程中能够形成更加均匀和稳定的连接结构，增强了银胶与电子元件之间的结合力，从而提高了产品的长期可靠性 。在功率器件封装中，即使经过多次热循环和机械振动，TS - 9853G 依然能够保持良好的连接性能，减少因 EBO 问题导致的产品失效，为功率器件的稳定运行提供了有力保障。TS - 1855 加工性好，封装高效从容。复配TANAKA田中常见问题

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烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中，当烧结温度升高到一定程度时，银原子获得足够的能量开始活跃，银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期，银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈，随着原子不断扩散，颗粒间距离缩小，表面自由能降低，颈部逐渐长大变粗并形成晶界，晶界滑移带动晶粒生长 ，坯体中的颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小。在烧结中期，颗粒和颗粒开始形成致密化连接，扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等，颗粒间的颈部继续长大，晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络，气孔相互孤立，并逐渐形成球形，位于晶粒界面处或晶粒结合点处。半导体TANAKA田中厂家电话