26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。江阴名优集成电路图片
这就是初期集成电路的构想，晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了***个晶体管，而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。杰克·基尔比（Jack Kilby）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期间分别发明了锗集成电路和硅集成电路。滨湖区本地集成电路厂家价格膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。
5、Cerquad集成电路表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G（见QFJ）。
7、测试仪表内阻要大测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20KΩ/V的万用表，否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。8、要注意功率集成电路的散热功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。9、引线要合理如需要加接**元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。例如：肖特基4输入与非门CT54S20MDC—符合国家标准T—TTL电路54S20—肖特基双4输入与非门M—‐55~125℃D—多层陶瓷双列直插封装1、BGA（ball grid array）焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。
16、FQFP（fine pitch quad flat package）小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP（见QFP）。部分导导体厂家采用此名称。17、CPAC（globe top pad array carrier）美国Motorola公司对BGA的别称（见BGA）。18、CQFP（quad fiat package with guard ring）带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状（L形状）。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数**多为208左右。薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。江阴名优集成电路图片
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。江阴名优集成电路图片
MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是比较高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP（见QFP）。30、MQUAD（metal quad）江阴名优集成电路图片
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