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集成电路基本参数
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集成电路企业商机

QUIP的别称(见QUIP)。51、QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。52、SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。无锡标准集成电路厂家供应

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7、测试仪表内阻要大测量集成电路引脚直流电压时,应选用表头内阻大于20KΩ/V的万用表,否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。8、要注意功率集成电路的散热功率集成电路应散热良好,不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。9、引线要合理如需要加接**元件代替集成电路内部已损坏部分,应选用小型元器件,且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合,尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。例如:肖特基4输入与非门CT54S20MDC—符合国家标准T—TTL电路54S20—肖特基双4输入与非门M—‐55~125℃D—多层陶瓷双列直插封装1、BGA(ball grid array)南京节能集成电路市价集成电路的产生,任何发明创造背后都是有驱动力的,而驱动力往往来源于问题。

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使用单晶硅晶圆(或III-V族,如砷化镓)用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件,然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线,如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量,导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成,每层由图像技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之间的连接(过孔或接触层)。所有的组件由这些层的特定组合构成。

美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSP(mini square package)QFI的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和集成电路。

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集成电路,英文为Integrated Circuit,缩写为IC;顾名思义,就是把一定数量的常用电子元件,如电阻、电容、晶体管等,以及这些元件之间的连线,通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺,把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上,然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术,主要体现加工设备,加工工艺,封装测试,批量生产及设计创新的能力上。录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。徐州节能集成电路生产厂家

表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。无锡标准集成电路厂家供应

外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,90年代基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。无锡标准集成电路厂家供应

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