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TANAKA AuRoFUSE™在功率器件领域的应用具有重要的战略意义，特别是在下一代功率半导体技术的发展中扮演着关键角色。产品可作为光电半导体（LED 和 LD）、功率半导体、IC 用的芯片贴装材料，展现出了大方面的适用性。在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。独特的烧结金胶，无卤素配方，改善热导性。制备烧结金胶服务电话

如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。产品在传统功率器件应用中也表现出色。田中贵金属提供的产品组合中包括应对用于功率器件的 Si、下一代半导体 SiC、GaN 的固晶用导电胶。这种大方面的产品布局使得客户能够在不同技术路线的功率器件中都能找到合适的封装解决方案。烧结金胶用途可靠的烧结金胶，增强耐腐蚀性，操作简便。

在粒径控制方面，产品采用亚微米级（次微米）金粒子，通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性，还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了 TANAKA 在纳米材料科学领域的技术深度。当 AuRoFUSE™被加热至 200℃时，溶剂会先蒸发，即便不施压，Au 粒子也可实现烧结结合，获得约 30MPa 的充分接合强度。这种无压烧结特性不仅简化了工艺要求，还降低了对设备的要求。更重要的是，产品具有优异的高温稳定性，可在 1064℃的高温下保持稳定性能。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合在高温环境下工作的功率器件和传感器应用。

TANAKAAuRoFUSE™在传感器和MEMS（微机电系统）领域的应用展现了该技术在精密制造领域的巨大潜力。产品在MEMS等气密封装应用中表现出色，这主要得益于其独特的密封性能和热压工艺特性。在MEMS气密封装应用中，AuRoFUSE™技术具有独特的优势。"AuRoFUSE™"膏材所形成的密封外框，经热压（200℃、100MPa）使金粒子烧结体变形后，组织变得更加精密，从而实现高真空气密封装，氦气泄漏率可达1.0×10^-13Pa・m³/s。这一极高的密封性能对于需要高真空环境的MEMS器件至关重要。66低温的烧结金胶，应用于 LED 封装，粒径分布均匀。

在粒径控制方面，产品采用亚微米级（次微米）金粒子，通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性，还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了 TANAKA 在纳米材料科学领域的技术深度。当 AuRoFUSE™被加热至 200℃时，溶剂会先蒸发，即便不施压，Au 粒子也可实现烧结结合，获得约 30MPa 的充分接合强度。这种无压烧结特性不仅简化了工艺要求，还降低了对设备的要求。更重要的是，产品具有优异的高温稳定性，可在 1064℃的高温下保持稳定性能。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合在高温环境下工作的功率器件和传感器应用。。。低温的烧结金胶，增强耐腐蚀性，应用于 LED 封装。制备烧结金胶服务电话

高纯度的烧结金胶，工艺兼容性强，降低能耗。制备烧结金胶服务电话

TANAKA 烧结金胶在工艺技术层面展现出了重要的创新优势，这些优势直接转化为客户在生产效率和成本控制方面的实际收益。产品的工艺兼容性极强，可以在大气或气体环境中进行键合，键合后无需清洗。这一特性大幅简化了工艺流程，降低了生产成本。在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以 AuRoFUSE™预制件为例，在 200℃、20MPa、10 秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约 10% 的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的 Au 凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。
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