试验烧结金胶技术指导

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。可靠的烧结金胶，操作简便，增强耐腐蚀性。试验烧结金胶技术指导

TANAKA AuRoFUSE™在功率器件领域的应用具有重要的战略意义，特别是在下一代功率半导体技术的发展中扮演着关键角色。产品可作为光电半导体（LED 和 LD）、功率半导体、IC 用的芯片贴装材料，展现出了大方面的适用性。在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。试验烧结金胶技术指导烧结金胶高纯度的，在功率器件中使用，粒径分布均匀。

在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。产品的环保特性在工艺技术层面也得到了充分体现。AuRoFUSE™是无卤素的金膏材，这一特性不仅符合日益严格的环保法规要求，也为客户提供了更安全、更清洁的生产环境。工艺技术的另一个重要优势是其操作简便性。安装元件（金电极）后，在无按压的情况下升温（0.5℃/秒）至200℃，20分钟即可完成接合。这种简单的操作流程降低了对操作人员技能水平的要求，提高了生产效率。。。

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过300℃的情形。如果使用金-锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用"AuRoFUSE™"接合，即使在300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得AuRoFUSE™成为SiC和GaN功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。。。烧结金胶创新的，优化光学性能，含亚微米金粒子。

传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用 AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率 LED 技术能够在更广泛的应用领域得到推广。在特殊环境 LED 照明应用中，AuRoFUSE™技术展现出了优异的适应性。开发出的 LED 模组可适应过度的温度高低变化，因此可用于预计今后进出口时需求渐增的冷冻仓库用照明。此外，小型模组还可应用于车用照明的制造，以提升车辆的设计性等，甚至能够解决过去成本高昂、开发困难的各种问题。创新的烧结金胶，用于 MEMS 气密封装，实现精密键合。试验烧结金胶哪些特点

烧结金胶低温的，应用于 LED 封装，无卤素配方。试验烧结金胶技术指导

TANAKA烧结金胶产品具有多项独特的技术特点，这些特点构成了其在市场竞争中的重要优势。首先，产品采用不含高分子等的球状次微米Au粒子，在约150℃无压下即可开始烧结。这种低温烧结特性不仅降低了能耗，还避免了高温对器件的热损伤。其次，产品具有灵活的烧结模式选择：无压烧结时可获得多孔烧结体，通过加压可获得致密的Au。这种双重模式设计为不同应用场景提供了定制化的解决方案，既可以满足需要应力缓冲的应用，也可以满足需要高导热性的应用。。。。。试验烧结金胶技术指导