试验烧结金胶联系方式

在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。产品的环保特性在工艺技术层面也得到了充分体现。AuRoFUSE™是无卤素的金膏材，这一特性不仅符合日益严格的环保法规要求，也为客户提供了更安全、更清洁的生产环境。工艺技术的另一个重要优势是其操作简便性。安装元件（金电极）后，在无按压的情况下升温（0.5℃/秒）至200℃，20分钟即可完成接合。这种简单的操作流程降低了对操作人员技能水平的要求，提高了生产效率。。。烧结金胶高纯度的，适用于传感器封装，有双重烧结模式。试验烧结金胶联系方式

2013年12月起，田中贵金属工业开始提供使用次微米级金粒子膏材"AuRoFUSE™"，通过高精密网版印刷法在基板上一次印刷即可形成微细复合图案的技术。这一技术使得复杂的MEMS结构能够通过简单的印刷工艺实现，很好降低了制造成本和工艺复杂度。在MEMS代工制造领域，AuRoFUSE™技术也发挥着重要作用。田中贵金属工业与MEMSCORE公司签订共同研发协议，针对次微米大小金粒子MEMS装置的图案形成技术展开技术合作，建立了从MEMS零件的试作到安装的代工制造厂能力。这种合作模式为MEMS厂商提供了从材料研发到设备组装的一站式解决方案。765某种烧结金胶前景烧结金胶高纯度的，应用于 LED 封装，操作简便。

如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。产品在传统功率器件应用中也表现出色。田中贵金属提供的产品组合中包括应对用于功率器件的 Si、下一代半导体 SiC、GaN 的固晶用导电胶。这种大方面的产品布局使得客户能够在不同技术路线的功率器件中都能找到合适的封装解决方案。

TANAKA烧结金胶在工艺技术层面展现出了重要的创新优势，这些优势直接转化为客户在生产效率和成本控制方面的实际收益。产品的工艺兼容性极强，可以在大气或气体环境中进行键合，键合后无需清洗。这一特性大幅简化了工艺流程，降低了生产成本。在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。微联可靠的烧结金胶，操作简便，增强耐腐蚀性。

TANAKA烧结金胶产品具有多项独特的技术特点，这些特点构成了其在市场竞争中的重要优势。首先，产品采用不含高分子等的球状次微米Au粒子，在约150℃无压下即可开始烧结。这种低温烧结特性不仅降低了能耗，还避免了高温对器件的热损伤。其次，产品具有灵活的烧结模式选择：无压烧结时可获得多孔烧结体，通过加压可获得致密的Au。这种双重模式设计为不同应用场景提供了定制化的解决方案，既可以满足需要应力缓冲的应用，也可以满足需要高导热性的应用。。。低温的烧结金胶，在功率器件中使用，无压可烧结。了解烧结金胶要求

先进的烧结金胶，降低能耗，应用于 LED 封装。试验烧结金胶联系方式

TANAKA AuRoFUSE™在功率器件领域的应用具有重要的战略意义，特别是在下一代功率半导体技术的发展中扮演着关键角色。产品可作为光电半导体（LED 和 LD）、功率半导体、IC 用的芯片贴装材料，展现出了大方面的适用性。在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。试验烧结金胶联系方式