了解烧结金胶联系方式

TANAKA 烧结金胶产品具有多项独特的技术特点，这些特点构成了其在市场竞争中的重要优势。首先，产品采用不含高分子等的球状次微米 Au 粒子，在约 150℃无压下即可开始烧结。这种低温烧结特性不仅降低了能耗，还避免了高温对器件的热损伤。其次，产品具有灵活的烧结模式选择：无压烧结时可获得多孔烧结体，通过加压可获得致密的 Au。这种双重模式设计为不同应用场景提供了定制化的解决方案，既可以满足需要应力缓冲的应用，也可以满足需要高导热性的应用。烧结金胶低温的，用于 MEMS 气密封装，工艺兼容性强。了解烧结金胶联系方式

2013年12月起，田中贵金属工业开始提供使用次微米级金粒子膏材"AuRoFUSE™"，通过高精密网版印刷法在基板上一次印刷即可形成微细复合图案的技术。这一技术使得复杂的MEMS结构能够通过简单的印刷工艺实现，很好降低了制造成本和工艺复杂度。在MEMS代工制造领域，AuRoFUSE™技术也发挥着重要作用。田中贵金属工业与MEMSCORE公司签订共同研发协议，针对次微米大小金粒子MEMS装置的图案形成技术展开技术合作，建立了从MEMS零件的试作到安装的代工制造厂能力。这种合作模式为MEMS厂商提供了从材料研发到设备组装的一站式解决方案。让人学生用的烧结金胶供应商家烧结金胶高纯度的，优化光学性能，有双重烧结模式。

如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。产品在传统功率器件应用中也表现出色。田中贵金属提供的产品组合中包括应对用于功率器件的 Si、下一代半导体 SiC、GaN 的固晶用导电胶。这种大方面的产品布局使得客户能够在不同技术路线的功率器件中都能找到合适的封装解决方案。

在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。高效的烧结金胶，在汽车电子中应用，无卤素配方。

TANAKA AuRoFUSE™在 LED 封装领域的应用是了该技术重要成功的商业化案例之一。与传统的引线键合方式不同，AuRoFUSE™采用面朝下（倒装芯片）键合技术，能够确保高散热性，同时提升电器性能，更能进一步制造出模组大小的小型化产品。在高功率 LED 模组应用中，AuRoFUSE™展现出了独特的技术优势。田中贵金属工业与 S.E.I 公司合作开发的高功率 LED 模组采用了以 "AuRoFUSE™" 为接合材料的面朝下接合结构，能够直接和金属基板接合。这一技术突是决了传统 LED 封装中的两个关键问题：散热性和热膨胀匹配。烧结金胶高纯度的，在功率器件中使用，粒径分布均匀。学生用的烧结金胶供应商家

烧结金胶高效的，应用于 LED 封装，无卤素配方。了解烧结金胶联系方式

2013年12月起，田中贵金属工业开始提供使用次微米级金粒子膏材"AuRoFUSE™"，通过高精密网版印刷法在基板上一次印刷即可形成微细复合图案的技术。这一技术使得复杂的MEMS结构能够通过简单的印刷工艺实现，很好降低了制造成本和工艺复杂度。在MEMS代工制造领域，AuRoFUSE™技术也发挥着重要作用。田中贵金属工业与MEMSCORE公司签订共同研发协议，针对次微米大小金粒子MEMS装置的图案形成技术展开技术合作，建立了从MEMS零件的试作到安装的代工制造厂能力。这种合作模式为MEMS厂商提供了从材料研发到设备组装的一站式解决方案。765了解烧结金胶联系方式