使用烧结金胶技术指导

在汽车电子领域，AuRoFUSE™技术在车载零部件等需要高度技术创新的先进技术中具有重要应用价值。汽车电子化程度的不断提高对电子器件的可靠性和耐高温性能提出了更高要求，AuRoFUSE™的优异性能使其能够满足汽车级应用的严格标准。在半导体封装的更广泛应用中，AuRoFUSE™技术能够实现半导体配线微细化和多种芯片集成（高密度化），这对于推动半导体技术的发展具有重要意义。随着摩尔定律逐渐接近物理极限，通过先进封装技术实现系统性能提升成为重要发展方向，AuRoFUSE™的窄间距键合能力为此提供了关键技术支撑。高纯度的烧结金胶，工艺兼容性强，降低能耗。使用烧结金胶技术指导

TANAKA AuRoFUSE™在功率器件领域的应用具有重要的战略意义，特别是在下一代功率半导体技术的发展中扮演着关键角色。产品可作为光电半导体（LED 和 LD）、功率半导体、IC 用的芯片贴装材料，展现出了大方面的适用性。在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。如何分类烧结金胶生产先进的烧结金胶，降低能耗，应用于 LED 封装。

TANAKA 烧结金胶在关键性能参数方面大方面优势，这些优异的性能参数直接决定了产品在各种应用场景中的表现。在电学性能方面，产品具有极低的电阻率，标准膏材的电阻率为 5.4μΩ・cm，预制件的电阻率更是低至 4.5μΩ・cm。这种低电阻率特性确保了优异的导电性能，减少了电能损耗。在热学性能方面，产品表现尤为突出。标准膏材的热导率大于 150W/m・K，预制件的热导率更是高达 200W/m・K。这种优异的热导率特性使得 AuRoFUSE™在需要高效散热的功率器件和 LED 应用中具有不可替代的优势。

TANAKA烧结金胶在工艺技术层面展现出了重要的创新优势，这些优势直接转化为客户在生产效率和成本控制方面的实际收益。产品的工艺兼容性极强，可以在大气或气体环境中进行键合，键合后无需清洗。这一特性大幅简化了工艺流程，降低了生产成本。在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。，，烧结金胶独特的，实现精密键合，有双重烧结模式。

TANAKA AuRoFUSE™在 LED 封装领域的应用是了该技术重要成功的商业化案例之一。与传统的引线键合方式不同，AuRoFUSE™采用面朝下（倒装芯片）键合技术，能够确保高散热性，同时提升电器性能，更能进一步制造出模组大小的小型化产品。在高功率 LED 模组应用中，AuRoFUSE™展现出了独特的技术优势。田中贵金属工业与 S.E.I 公司合作开发的高功率 LED 模组采用了以 "AuRoFUSE™" 为接合材料的面朝下接合结构，能够直接和金属基板接合。这一技术突是决了传统 LED 封装中的两个关键问题：散热性和热膨胀匹配。烧结金胶创新的，提升导电性，工艺兼容性强。制备烧结金胶费用是多少

烧结金胶创新的，用于 MEMS 气密封装，增强耐腐蚀性。使用烧结金胶技术指导

在粒径控制方面，产品采用亚微米级（次微米）金粒子，通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性，还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了 TANAKA 在纳米材料科学领域的技术深度。当 AuRoFUSE™被加热至 200℃时，溶剂会先蒸发，即便不施压，Au 粒子也可实现烧结结合，获得约 30MPa 的充分接合强度。这种无压烧结特性不仅简化了工艺要求，还降低了对设备的要求。更重要的是，产品具有优异的高温稳定性，可在 1064℃的高温下保持稳定性能。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合在高温环境下工作的功率器件和传感器应用。使用烧结金胶技术指导